SKP10N60A - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SKP10N60A
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 92 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 12 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 62 pF
Тип корпуса: TO220
SKP10N60A Datasheet (PDF)
skp10n60a.pdf
SKP10N60A, SKB10N60ASKW10N60AFast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode 75% lower Eoff compared to previous generationCcombined with low conduction losses Short circuit withstand time 10 s Designed for:- Motor controlsGE- Inverter NPT-Technology for 600V applications offers:- very tight parameter distribution- hig
skp10n60a skw10n60a.pdf
SKP10N60A SKW10N60AFast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode C 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses Short circuit withstand time 10 s GE Designed for: - Motor controls - Inverter NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distribution - hig
Другие IGBT... IKP04N60T , IKP06N60T , IKP10N60T , IKP15N60T , IKP20N60T , SKP02N60 , SKP04N60 , SKP06N60 , RJH3047 , SKP15N60 , IKP01N120H2 , IKP03N120H2 , SKP02N120 , IHY15N120R3 , IHY20N120R3 , IHY30N160R2 , IKW15N120H3 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2