IKP01N120H2 - аналоги и описание IGBT

 

IKP01N120H2 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IKP01N120H2

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 3.2 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 6.3 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 9.8 pF

Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для IKP01N120H2

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IKP01N120H2 даташит

 ..1. Size:416K  infineon
 ikp01n120h2.pdf pdf_icon

IKP01N120H2

IKP01N120H2, IKB01N120H2 HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode Designed for C - SMPS - Lamp Ballast - ZVS-Converter - optimised for soft-switching / resonant topologies G E 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers - loss reduction in resonant circuits P-TO-220-3-1 P-TO-263-3-2 (D -PAK) - temperatu

 ..2. Size:824K  infineon
 ikp01n120h2 rev2 4g.pdf pdf_icon

IKP01N120H2

IKP01N120H2 HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode C Designed for - SMPS - Lamp Ballast G E - ZVS-Converter - optimised for soft-switching / resonant topologies 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers PG-TO-220-3-1 - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior - parallel s

Другие IGBT... IKP10N60T , IKP15N60T , IKP20N60T , SKP02N60 , SKP04N60 , SKP06N60 , SKP10N60A , SKP15N60 , CRG75T60AK3HD , IKP03N120H2 , SKP02N120 , IHY15N120R3 , IHY20N120R3 , IHY30N160R2 , IKW15N120H3 , IKW25N120H3 , IKW40N120H3 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.