Справочник IGBT. IKP01N120H2

 

IKP01N120H2 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IKP01N120H2
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: K01H1202
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 3.2 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 3.9 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 6.3 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 9.8 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 8.6 nC
   Тип корпуса: TO220
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IKP01N120H2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:416K  infineon
 ikp01n120h2.pdf pdf_icon

IKP01N120H2

IKP01N120H2, IKB01N120H2HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode Designed for: C- SMPS - Lamp Ballast - ZVS-Converter - optimised for soft-switching / resonant topologies GE 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits P-TO-220-3-1 P-TO-263-3-2 (D-PAK)- temperatu

 ..2. Size:824K  infineon
 ikp01n120h2 rev2 4g.pdf pdf_icon

IKP01N120H2

IKP01N120H2 HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode C Designed for: - SMPS - Lamp Ballast GE- ZVS-Converter - optimised for soft-switching / resonant topologies 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: PG-TO-220-3-1 - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior - parallel s

Другие IGBT... IKP10N60T , IKP15N60T , IKP20N60T , SKP02N60 , SKP04N60 , SKP06N60 , SKP10N60A , SKP15N60 , TGPF30N43P , IKP03N120H2 , SKP02N120 , IHY15N120R3 , IHY20N120R3 , IHY30N160R2 , IKW15N120H3 , IKW25N120H3 , IKW40N120H3 .

History: IHY20N120R3 | SRE80N065FSU

 

 
Back to Top

 


 
.