SKP02N120 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SKP02N120
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 6.2 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.1 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 16 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 28 pF
Тип корпуса: TO220
SKP02N120 Datasheet (PDF)
skp02n120.pdf
SKP02N120Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter ControlledDiodeAllowed number of short circuits: 1s. 40lower Eoff compared to previous generation Short circuit withstand time 10 sGE Designed for:- Motor controls- Inverter- SMPS NPT-Technology offers:PG-TO-220-3-1- very tig
skp02n60.pdf
SKP02N60 Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode C 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses Short circuit withstand time 10 s GE Designed for: - Motor controls - Inverter NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distribution - high ruggednes
Другие IGBT... IKP20N60T , SKP02N60 , SKP04N60 , SKP06N60 , SKP10N60A , SKP15N60 , IKP01N120H2 , IKP03N120H2 , CRG75T60AK3HD , IHY15N120R3 , IHY20N120R3 , IHY30N160R2 , IKW15N120H3 , IKW25N120H3 , IKW40N120H3 , IKD10N60R , IKU10N60R .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2