Справочник IGBT. SKP02N120

 

SKP02N120 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SKP02N120
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: K02N120
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 6.2 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.1 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 16 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 28 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 11 nC
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SKP02N120

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SKP02N120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:478K  infineon
 skp02n120.pdf pdf_icon

SKP02N120

SKP02N120Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter ControlledDiodeAllowed number of short circuits: 1s. 40lower Eoff compared to previous generation Short circuit withstand time 10 sGE Designed for:- Motor controls- Inverter- SMPS NPT-Technology offers:PG-TO-220-3-1- very tig

 8.1. Size:347K  infineon
 skp02n60.pdf pdf_icon

SKP02N120

SKP02N60 Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode C 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses Short circuit withstand time 10 s GE Designed for: - Motor controls - Inverter NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distribution - high ruggednes

Другие IGBT... IKP20N60T , SKP02N60 , SKP04N60 , SKP06N60 , SKP10N60A , SKP15N60 , IKP01N120H2 , IKP03N120H2 , CRG75T60AK3HD , IHY15N120R3 , IHY20N120R3 , IHY30N160R2 , IKW15N120H3 , IKW25N120H3 , IKW40N120H3 , IKD10N60R , IKU10N60R .

 

 
Back to Top

 


 
.