SKP02N120 - аналоги и описание IGBT

 

SKP02N120 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: SKP02N120

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 6.2 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 16 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 28 pF

Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для SKP02N120

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SKP02N120 даташит

 ..1. Size:478K  infineon
 skp02n120.pdf pdf_icon

SKP02N120

SKP02N120 Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode Allowed number of short circuits 1s. 40lower Eoff compared to previous generation Short circuit withstand time 10 s G E Designed for - Motor controls - Inverter - SMPS NPT-Technology offers PG-TO-220-3-1 - very tig

 8.1. Size:347K  infineon
 skp02n60.pdf pdf_icon

SKP02N120

SKP02N60 Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode C 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses Short circuit withstand time 10 s G E Designed for - Motor controls - Inverter NPT-Technology for 600V applications offers - very tight parameter distribution - high ruggednes

Другие IGBT... IKP20N60T , SKP02N60 , SKP04N60 , SKP06N60 , SKP10N60A , SKP15N60 , IKP01N120H2 , IKP03N120H2 , GT30F133 , IHY15N120R3 , IHY20N120R3 , IHY30N160R2 , IKW15N120H3 , IKW25N120H3 , IKW40N120H3 , IKD10N60R , IKU10N60R .

History: MMG75S170B6EN

 

 

 


 
↑ Back to Top
.