Справочник IGBT. IKU10N60R

 

IKU10N60R - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IKU10N60R
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: K10R60
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 10 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 37 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 64 nC
   Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для IKU10N60R

 

 

IKU10N60R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1800K  infineon
 iku10n60r.pdf

IKU10N60R IKU10N60R

IGBTIGBT with integrated diode in packages offering space saving advantageIKD10N60R, IKU10N60R600V TRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applicationsDatasheetIndustrial & MultimarketIKD10N60R, IKU10N60RTRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applicationsIGBT with integrated diode in packages offering space saving advantageCFeatures:TRENCHSTOPTM Reverse Conducting (R

 ..2. Size:1850K  infineon
 ikd10n60r iku10n60r.pdf

IKU10N60R IKU10N60R

IGBTIGBT with integrated diode in packages offering space saving advantageIKD10N60R, IKU10N60R600V TRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applicationsDatasheetIndustrial & MultimarketIKD10N60R, IKU10N60RTRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applicationsIGBT with integrated diode in packages offering space saving advantageCFeatures:TRENCHSTOPTM Reverse Conducting (R

Другие IGBT... SKP02N120 , IHY15N120R3 , IHY20N120R3 , IHY30N160R2 , IKW15N120H3 , IKW25N120H3 , IKW40N120H3 , IKD10N60R , IHW40T60 , IKD15N60R , IKU15N60R , IKD04N60R , IKU04N60R , IKD06N60R , IKU06N60R , IKW20N60H3 , IKW30N60H3 .

 

 
Back to Top