Справочник IGBT. IKU10N60R

 

IKU10N60R Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IKU10N60R
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 10 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 37 pF
   Тип корпуса: TO251
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IKU10N60R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1800K  infineon
iku10n60r.pdfpdf_icon

IKU10N60R

IGBTIGBT with integrated diode in packages offering space saving advantageIKD10N60R, IKU10N60R600V TRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applicationsDatasheetIndustrial & MultimarketIKD10N60R, IKU10N60RTRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applicationsIGBT with integrated diode in packages offering space saving advantageCFeatures:TRENCHSTOPTM Reverse Conducting (R

 ..2. Size:1850K  infineon
ikd10n60r iku10n60r.pdfpdf_icon

IKU10N60R

IGBTIGBT with integrated diode in packages offering space saving advantageIKD10N60R, IKU10N60R600V TRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applicationsDatasheetIndustrial & MultimarketIKD10N60R, IKU10N60RTRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applicationsIGBT with integrated diode in packages offering space saving advantageCFeatures:TRENCHSTOPTM Reverse Conducting (R

Другие IGBT... SKP02N120 , IHY15N120R3 , IHY20N120R3 , IHY30N160R2 , IKW15N120H3 , IKW25N120H3 , IKW40N120H3 , IKD10N60R , STGW60V60DF , IKD15N60R , IKU15N60R , IKD04N60R , IKU04N60R , IKD06N60R , IKU06N60R , IKW20N60H3 , IKW30N60H3 .

History: VS-EMF050J60U | NGTG50N60FWG | STGW20NB60H | DGC50F65M2 | IXGX82N120B3 | IRG4PSC71UD | SGW50N60HS

 

 
Back to Top

 


 
.