IKW50N60H3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IKW50N60H3  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 37 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 116 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IKW50N60H3

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IKW50N60H3 даташит

 ..1. Size:2179K  infineon
 ikw50n60h3.pdf pdf_icon

IKW50N60H3

 ..2. Size:1642K  infineon
 ikw50n60h3 rev1 1g.pdf pdf_icon

IKW50N60H3

 6.1. Size:1551K  infineon
 ikw50n60dtp.pdf pdf_icon

IKW50N60H3

IGBT TRENCHSTOP Performance technology copacked with RAPID 1 fast anti-parallel diode IKW50N60DTP 600V DuoPack IGBT and diode TRENCHSTOPTM Performance series Data sheet Industrial Power Control IKW50N60DTP TRENCHSTOPTM Performance Series High speed IGBT in Trench and Fieldstop technology C Features TRENCHSTOPTM technology offering very low V CEsat low turn-off losse

 6.2. Size:1971K  infineon
 aikw50n60ct.pdf pdf_icon

IKW50N60H3

AIKW50N60CT TRENCHSTOPTM Series Low Loss DuoPack IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technology with soft, fast recovery antiparallel Emitter Controlled diode C Features Automotive AEC-Q101 qualified Designed for DC/AC converters for Automotive Application Very low V 1.5V (typ.) CE(sat) Maximum junction temperature 175 C G Dynamically stress tested E Shor

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IKD06N60R, IKU06N60R, IKW20N60H3, IKW30N60H3, IHW40N60RF, IHW30N110R3, IKW40N60H3, IKB20N60H3, NCE80TD65BT, IKP20N60H3, IHY20N135R3, IKD03N60RF, IKD04N60RF, IHW20N135R3, SGP10N60A, SGB02N60, SGB02N120