IKP20N60H3 - аналоги и описание IGBT

 

IKP20N60H3 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IKP20N60H3

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 70 pF

Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для IKP20N60H3

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IKP20N60H3 даташит

 ..1. Size:2293K  infineon
 ikp20n60h3.pdf pdf_icon

IKP20N60H3

 0.1. Size:1698K  infineon
 ikp20n60h3g.pdf pdf_icon

IKP20N60H3

 6.1. Size:435K  infineon
 ikp20n60t ikb20n60t ikw20n60t.pdf pdf_icon

IKP20N60H3

IKP20N60T, IKB20N60T TrenchStop Series IKW20N60T Low Loss DuoPack IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode C Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) Maximum Junction Temperature 175 C Short circuit withstand time 5 s G E Designed for - Frequency Converters - Uninterrupted Power Supply Trench and F

 6.2. Size:2135K  infineon
 aikp20n60ct.pdf pdf_icon

IKP20N60H3

AIKP20N60CT TRENCHSTOPTM Series Low Loss DuoPack IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled diode C Features Automotive AEC Q101 qualified Designed for DC/AC converters for Automotive Application Very low V 1.5V (typ.) CE(sat) Maximum Junction Temperature 150 C G Dynamically stress tested E Sho

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IKU06N60R , IKW20N60H3 , IKW30N60H3 , IHW40N60RF , IHW30N110R3 , IKW40N60H3 , IKB20N60H3 , IKW50N60H3 , GT30F125 , IHY20N135R3 , IKD03N60RF , IKD04N60RF , IHW20N135R3 , SGP10N60A , SGB02N60 , SGB02N120 , SGD02N120 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.