Справочник IGBT. IHY20N135R3

 

IHY20N135R3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IHY20N135R3
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: H20R1353
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1350 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.4 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 55 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 195 nC
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IHY20N135R3

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IHY20N135R3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1484K  infineon
 ihy20n135r3.pdf pdf_icon

IHY20N135R3

IH-seriesReverse conducting IGBT with monolithic body diodeIHY20N135R3DatasheetIndustrial & MultimarketIHY20N135R3IH-seriesReverse conducting IGBT with monolithic body diodeCFeatures: Offers new higher breakdown voltage to 1350V for improvedreliability Powerful monolithic body diode with low forward voltage G designed for soft commutation onlyE TrenchSt

 7.1. Size:916K  infineon
 ds ihy20n120r3.pdf pdf_icon

IHY20N135R3

IHY20N120R3IH-seriesReverse conducting IGBT with monolithic body diodeCFeatures: Powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation onlyGE TrenchStop technology offering: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior - low VCEsat - easy parallel switching capability due to positive te

Другие IGBT... IKW20N60H3 , IKW30N60H3 , IHW40N60RF , IHW30N110R3 , IKW40N60H3 , IKB20N60H3 , IKW50N60H3 , IKP20N60H3 , IRG7S313U , IKD03N60RF , IKD04N60RF , IHW20N135R3 , SGP10N60A , SGB02N60 , SGB02N120 , SGD02N120 , SGD02N60 .

 

 
Back to Top

 


 
.