IHY20N135R3 - аналоги и описание IGBT

 

IHY20N135R3 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IHY20N135R3

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1350 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 55 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IHY20N135R3

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IHY20N135R3 даташит

 ..1. Size:1484K  infineon
 ihy20n135r3.pdf pdf_icon

IHY20N135R3

IH-series Reverse conducting IGBT with monolithic body diode IHY20N135R3 Datasheet Industrial & Multimarket IHY20N135R3 IH-series Reverse conducting IGBT with monolithic body diode C Features Offers new higher breakdown voltage to 1350V for improved reliability Powerful monolithic body diode with low forward voltage G designed for soft commutation only E TrenchSt

 7.1. Size:916K  infineon
 ds ihy20n120r3.pdf pdf_icon

IHY20N135R3

IHY20N120R3 IH-series Reverse conducting IGBT with monolithic body diode C Features Powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation only G E TrenchStop technology offering - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior - low V CEsat - easy parallel switching capability due to positive te

Другие IGBT... IKW20N60H3 , IKW30N60H3 , IHW40N60RF , IHW30N110R3 , IKW40N60H3 , IKB20N60H3 , IKW50N60H3 , IKP20N60H3 , IXRH40N120 , IKD03N60RF , IKD04N60RF , IHW20N135R3 , SGP10N60A , SGB02N60 , SGB02N120 , SGD02N120 , SGD02N60 .

History: SGW50N60HS

 

 

 


 
↑ Back to Top
.