SGD02N60 - аналоги и описание IGBT

 

SGD02N60 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: SGD02N60

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 6 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 13 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 18 pF

Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для SGD02N60

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGD02N60 даташит

 ..1. Size:353K  infineon
 sgp02n60 sgd02n60.pdf pdf_icon

SGD02N60

SGP02N60 SGD02N60 Fast IGBT in NPT-technology C 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses Short circuit withstand time 10 s G E Designed for - Motor controls - Inverter NPT-Technology for 600V applications offers - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour PG-TO-

 ..2. Size:350K  infineon
 sgd02n60.pdf pdf_icon

SGD02N60

SGP02N60 SGD02N60 Fast IGBT in NPT-technology C 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses Short circuit withstand time 10 s G E Designed for - Motor controls - Inverter NPT-Technology for 600V applications offers - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour PG-TO-

 0.1. Size:353K  infineon
 sgp02n60 sgd02n60g.pdf pdf_icon

SGD02N60

SGP02N60 SGD02N60 Fast IGBT in NPT-technology C 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses Short circuit withstand time 10 s G E Designed for - Motor controls - Inverter NPT-Technology for 600V applications offers - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour PG-TO-

 8.1. Size:374K  infineon
 sgd02n120.pdf pdf_icon

SGD02N60

SGP02N120 SGD02N120, SGI02N120 Fast IGBT in NPT-technology C 40% lower Eoff compared to previous generation Short circuit withstand time 10 s Designed for G E - Motor controls - Inverter - SMPS NPT-Technology offers - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour - parallel switching capability PG-TO-252-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IHY20N135R3 , IKD03N60RF , IKD04N60RF , IHW20N135R3 , SGP10N60A , SGB02N60 , SGB02N120 , SGD02N120 , KGF75N65KDF , SGB04N60 , SGW02N120 , SGD04N60 , SGB07N120 , SGB06N60 , SGD06N60 , SGB15N120 , SGW15N120 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.