SGW02N120 - аналоги и описание IGBT

 

SGW02N120 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: SGW02N120

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 6.2 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 16 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 20 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SGW02N120

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGW02N120 даташит

 ..1. Size:808K  infineon
 sgw02n120 .pdf pdf_icon

SGW02N120

SGW02N120 Fast IGBT in NPT-technology C Lower Eoff compared to previous generation Short circuit withstand time 10 s Designed for G E - Motor controls - Inverter - SMPS NPT-Technology offers - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour - parallel switching capability PG-TO-247-3-21 Qualified according

 ..2. Size:806K  infineon
 sgw02n120.pdf pdf_icon

SGW02N120

SGW02N120 Fast IGBT in NPT-technology C Lower Eoff compared to previous generation Short circuit withstand time 10 s Designed for G E - Motor controls - Inverter - SMPS NPT-Technology offers - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour - parallel switching capability PG-TO-247-3-21 Qualified according

Другие IGBT... IKD04N60RF , IHW20N135R3 , SGP10N60A , SGB02N60 , SGB02N120 , SGD02N120 , SGD02N60 , SGB04N60 , IRG7S313U , SGD04N60 , SGB07N120 , SGB06N60 , SGD06N60 , SGB15N120 , SGW15N120 , SGB10N60A , SGW25N120 .

History: SGD04N60

 

 

 


 
↑ Back to Top
.