Справочник IGBT. SGW02N120

 

SGW02N120 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGW02N120
   Тип транзистора: IGBT
   Маркировка: G02N120
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 6.2 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.1 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 16 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 20 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 11 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SGW02N120

 

 

SGW02N120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:808K  infineon
 sgw02n120 .pdf

SGW02N120 SGW02N120

SGW02N120Fast IGBT in NPT-technology C Lower Eoff compared to previous generation Short circuit withstand time 10 s Designed for: GE- Motor controls - Inverter - SMPS NPT-Technology offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour - parallel switching capability PG-TO-247-3-21 Qualified according

 ..2. Size:806K  infineon
 sgw02n120.pdf

SGW02N120 SGW02N120

SGW02N120Fast IGBT in NPT-technology C Lower Eoff compared to previous generation Short circuit withstand time 10 s Designed for: GE- Motor controls - Inverter - SMPS NPT-Technology offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour - parallel switching capability PG-TO-247-3-21 Qualified according

Другие IGBT... IKD04N60RF , IHW20N135R3 , SGP10N60A , SGB02N60 , SGB02N120 , SGD02N120 , SGD02N60 , SGB04N60 , IRG4PC40W , SGD04N60 , SGB07N120 , SGB06N60 , SGD06N60 , SGB15N120 , SGW15N120 , SGB10N60A , SGW25N120 .

 

 
Back to Top