SGB15N120 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: SGB15N120  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 198 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 23 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 100 pF

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для SGB15N120

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGB15N120 даташит

 ..1. Size:831K  infineon
 sgb15n120.pdf pdf_icon

SGB15N120

SGB15N120 Fast IGBT in NPT-technology C 40% lower Eoff compared to previous generation Short circuit withstand time 10 s Designed for G E - Motor controls - Inverter - SMPS NPT-Technology offers - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour PG-TO-263-3-2 (D -PAK) - parallel switching capability Pb-f

 ..2. Size:836K  infineon
 sgb15n120 .pdf pdf_icon

SGB15N120

SGB15N120 Fast IGBT in NPT-technology C 40% lower Eoff compared to previous generation Short circuit withstand time 10 s Designed for G E - Motor controls - Inverter - SMPS NPT-Technology offers - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour PG-TO-263-3-2 (D -PAK) - parallel switching capability Pb-f

 8.1. Size:788K  infineon
 sgb15n60.pdf pdf_icon

SGB15N120

SGB15N60 Fast IGBT in NPT-technology C 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses Short circuit withstand time 10 s G E Designed for - Motor controls - Inverter NPT-Technology for 600V applications offers - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour PG-TO-263-3-2 -

 8.2. Size:813K  infineon
 sgb15n60hs.pdf pdf_icon

SGB15N120

SGB15N60HS ^ High Speed IGBT in NPT-technology C 30% lower Eoff compared to previous generation Short circuit withstand time 10 s G E Designed for operation above 30 kHz NPT-Technology for 600V applications offers - parallel switching capability PG-TO-263-3-2 (D -PAK) - moderate Eoff increase with temperature (TO-263AB) - very tight parameter distri

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SGD02N120, SGD02N60, SGB04N60, SGW02N120, SGD04N60, SGB07N120, SGB06N60, SGD06N60, FGPF4533, SGW15N120, SGB10N60A, SGW25N120, SGW10N60A, SGB15N60, SGW15N60, SGB20N60, SGW20N60