Справочник IGBT. SGW30N60HS

 

SGW30N60HS - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGW30N60HS
   Тип транзистора: IGBT
   Маркировка: G30N60HS
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 41 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 21 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 150 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 141 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SGW30N60HS

 

 

SGW30N60HS Datasheet (PDF)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SGP20N60 , SGP30N60 , SGI02N120 , SGP02N120 , SGP07N120 , SGP15N120 , SGB15N60HS , SGW20N60HS , FGH60N60SFD , SGW50N60HS , SGP20N60HS , SGP30N60HS , IGB01N120H2 , IGD01N120H2 , IGA03N120H2 , IGB03N120H2 , IGW03N120H2 .