SGW50N60HS - аналоги и описание IGBT

 

SGW50N60HS - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: SGW50N60HS

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 416 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 32 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 245 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SGW50N60HS

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGW50N60HS даташит

 ..1. Size:350K  infineon
 sgw50n60hs.pdf pdf_icon

SGW50N60HS

SGW50N60HS High Speed IGBT in NPT-technology C 30% lower Eoff compared to previous generation Short circuit withstand time 10 s G E Designed for operation above 30 kHz NPT-Technology for 600V applications offers PG-TO-247-3 - parallel switching capability - moderate Eoff increase with temperature - very tight parameter distribution High ruggednes

 0.1. Size:350K  infineon
 sgw50n60hsg.pdf pdf_icon

SGW50N60HS

SGW50N60HS High Speed IGBT in NPT-technology C 30% lower Eoff compared to previous generation Short circuit withstand time 10 s G E Designed for operation above 30 kHz NPT-Technology for 600V applications offers PG-TO-247-3 - parallel switching capability - moderate Eoff increase with temperature - very tight parameter distribution High ruggednes

Другие IGBT... SGP30N60 , SGI02N120 , SGP02N120 , SGP07N120 , SGP15N120 , SGB15N60HS , SGW20N60HS , SGW30N60HS , GT30F126 , SGP20N60HS , SGP30N60HS , IGB01N120H2 , IGD01N120H2 , IGA03N120H2 , IGB03N120H2 , IGW03N120H2 , IGP01N120H2 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.