Справочник IGBT. SGW50N60HS

 

SGW50N60HS Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGW50N60HS
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 416 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.8 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 32 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 245 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

SGW50N60HS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:350K  infineon
 sgw50n60hs.pdf pdf_icon

SGW50N60HS

SGW50N60HSHigh Speed IGBT in NPT-technology C 30% lower Eoff compared to previous generation Short circuit withstand time 10 s GE Designed for operation above 30 kHz NPT-Technology for 600V applications offers: PG-TO-247-3 - parallel switching capability - moderate Eoff increase with temperature - very tight parameter distribution High ruggednes

 0.1. Size:350K  infineon
 sgw50n60hsg.pdf pdf_icon

SGW50N60HS

SGW50N60HSHigh Speed IGBT in NPT-technology C 30% lower Eoff compared to previous generation Short circuit withstand time 10 s GE Designed for operation above 30 kHz NPT-Technology for 600V applications offers: PG-TO-247-3 - parallel switching capability - moderate Eoff increase with temperature - very tight parameter distribution High ruggednes

Другие IGBT... SGP30N60 , SGI02N120 , SGP02N120 , SGP07N120 , SGP15N120 , SGB15N60HS , SGW20N60HS , SGW30N60HS , FGH60N60SFD , SGP20N60HS , SGP30N60HS , IGB01N120H2 , IGD01N120H2 , IGA03N120H2 , IGB03N120H2 , IGW03N120H2 , IGP01N120H2 .

History: NGTG50N60FWG | NGB8202N | STGW20NB60H | DGC50F65M2 | IXGX82N120B3 | STGWA19NC60HD | IXGX72N60A3H1

 

 
Back to Top

 


 
.