IGA03N120H2 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IGA03N120H2
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 8.2 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 5.2 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 24 pF
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для IGA03N120H2
IGA03N120H2 Datasheet (PDF)
iga03n120h2.pdf
IGA03N120H2HighSpeed 2-Technology C Designed for: - TV Horizontal Line Deflection GE 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter distribution - Eoff optimized for IC =3A PG-TO220-3-34 (FullPAK) - simple Gate-Control
iga03n120h2g.pdf
IGA03N120H2HighSpeed 2-Technology C Designed for: - TV Horizontal Line Deflection GE 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter distribution - Eoff optimized for IC =3A PG-TO220-3-34 (FullPAK) - simple Gate-Control
Другие IGBT... SGB15N60HS , SGW20N60HS , SGW30N60HS , SGW50N60HS , SGP20N60HS , SGP30N60HS , IGB01N120H2 , IGD01N120H2 , IRGP4086 , IGB03N120H2 , IGW03N120H2 , IGP01N120H2 , IGP03N120H2 , IGW25N120H3 , IGW15N120H3 , IGW40N120H3 , IGP20N60H3 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2