IGA30N60H3 - аналоги и описание IGBT

 

IGA30N60H3 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: IGA30N60H3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 18 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 22 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 107 pF
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для IGA30N60H3

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

Технические параметры IGA30N60H3

 ..1. Size:1571K  infineon
 iga30n60h3.pdf pdf_icon

IGA30N60H3

IGBT High speed IGBT in Trench and Fieldstop technology IGA30N60H3 High speed switching series third generation Datasheet Industrial & Multimarket IGA30N60H3 High speed switching series third generation High speed IGBT in Trench and Fieldstop technology Features C TRENCHSTOPTM technology offering very low V CEsat low EMI maximum junction temperature 175 C G

 ..2. Size:1615K  infineon
 iga30n60h3 rev2 1g.pdf pdf_icon

IGA30N60H3

IGBT High speed IGBT in Trench and Fieldstop technology IGA30N60H3 High speed switching series third generation Datasheet Industrial & Multimarket IGA30N60H3 High speed switching series third generation High speed IGBT in Trench and Fieldstop technology Features C TRENCHSTOPTM technology offering very low V CEsat low EMI maximum junction temperature 175 C G

Другие IGBT... IGP03N120H2 , IGW25N120H3 , IGW15N120H3 , IGW40N120H3 , IGP20N60H3 , IGP30N60H3 , IGW50N60H3 , IGW40N60H3 , YGW60N65F1A1 , IGB20N60H3 , IGW20N60H3 , IGB30N60H3 , IGW30N60H3 , IGW40T120 , IGW30N100T , IGW08T120 , IGW15T120 .

 

 
Back to Top

 


 
.