Справочник IGBT. IGA30N60H3

 

IGA30N60H3 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IGA30N60H3
   Тип транзистора: IGBT
   Маркировка: G30H603
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 18 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 22 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 107 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 165 nC
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для IGA30N60H3

 

 

IGA30N60H3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1571K  infineon
 iga30n60h3.pdf

IGA30N60H3 IGA30N60H3

IGBTHigh speed IGBT in Trench and Fieldstop technologyIGA30N60H3High speed switching series third generationDatasheetIndustrial & MultimarketIGA30N60H3High speed switching series third generationHigh speed IGBT in Trench and Fieldstop technologyFeatures: CTRENCHSTOPTM technology offering very low VCEsat low EMI maximum junction temperature 175C G

 ..2. Size:1615K  infineon
 iga30n60h3 rev2 1g.pdf

IGA30N60H3 IGA30N60H3

IGBTHigh speed IGBT in Trench and Fieldstop technologyIGA30N60H3High speed switching series third generationDatasheetIndustrial & MultimarketIGA30N60H3High speed switching series third generationHigh speed IGBT in Trench and Fieldstop technologyFeatures: CTRENCHSTOPTM technology offering very low VCEsat low EMI maximum junction temperature 175C G

Другие IGBT... IGP03N120H2 , IGW25N120H3 , IGW15N120H3 , IGW40N120H3 , IGP20N60H3 , IGP30N60H3 , IGW50N60H3 , IGW40N60H3 , IKW30N60H3 , IGB20N60H3 , IGW20N60H3 , IGB30N60H3 , IGW30N60H3 , IGW40T120 , IGW30N100T , IGW08T120 , IGW15T120 .

 

 
Back to Top