IGA30N60H3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IGA30N60H3  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 18 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 22 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 107 pF

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IGA30N60H3

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IGA30N60H3 даташит

 ..1. Size:1571K  infineon
 iga30n60h3.pdf pdf_icon

IGA30N60H3

IGBT High speed IGBT in Trench and Fieldstop technology IGA30N60H3 High speed switching series third generation Datasheet Industrial & Multimarket IGA30N60H3 High speed switching series third generation High speed IGBT in Trench and Fieldstop technology Features C TRENCHSTOPTM technology offering very low V CEsat low EMI maximum junction temperature 175 C G

 ..2. Size:1615K  infineon
 iga30n60h3 rev2 1g.pdf pdf_icon

IGA30N60H3

IGBT High speed IGBT in Trench and Fieldstop technology IGA30N60H3 High speed switching series third generation Datasheet Industrial & Multimarket IGA30N60H3 High speed switching series third generation High speed IGBT in Trench and Fieldstop technology Features C TRENCHSTOPTM technology offering very low V CEsat low EMI maximum junction temperature 175 C G

Другие IGBT... IGP03N120H2, IGW25N120H3, IGW15N120H3, IGW40N120H3, IGP20N60H3, IGP30N60H3, IGW50N60H3, IGW40N60H3, IHW20N135R5, IGB20N60H3, IGW20N60H3, IGB30N60H3, IGW30N60H3, IGW40T120, IGW30N100T, IGW08T120, IGW15T120