IGW20N60H3 - аналоги и описание IGBT

 

IGW20N60H3 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IGW20N60H3

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 23 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 70 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IGW20N60H3

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IGW20N60H3 даташит

 ..1. Size:1562K  infineon
 igw20n60h3 rev1 1g.pdf pdf_icon

IGW20N60H3

IGBT High speed IGBT in Trench and Fieldstop technology IGW20N60H3 600V high speed switching series third generation Datasheet Industrial & Multimarket IGW20N60H3 High speed switching series third generation High speed IGBT in Trench and Fieldstop technology Features C TRENCHSTOPTM technology offering very low V CEsat low EMI Very soft, fast recovery anti-parallel d

 ..2. Size:1998K  infineon
 igw20n60h3.pdf pdf_icon

IGW20N60H3

IGBT High speed IGBT in Trench and Fieldstop technology IGW20N60H3 600V high speed switching series third generation Data sheet Industrial Power Control IGW20N60H3 High speed switching series third generation High speed IGBT in Trench and Fieldstop technology Features C TRENCHSTOPTM technology offering very low V CEsat low EMI Very soft, fast recovery anti-parallel d

Другие IGBT... IGW15N120H3 , IGW40N120H3 , IGP20N60H3 , IGP30N60H3 , IGW50N60H3 , IGW40N60H3 , IGA30N60H3 , IGB20N60H3 , IRGP4086 , IGB30N60H3 , IGW30N60H3 , IGW40T120 , IGW30N100T , IGW08T120 , IGW15T120 , IGW25T120 , IGW60T120 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.