Справочник IGBT. IGW20N60H3

 

IGW20N60H3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IGW20N60H3
   Тип транзистора: IGBT
   Маркировка: G20H603
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.7 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 23 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 70 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 120 nC
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IGW20N60H3

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IGW20N60H3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1562K  infineon
 igw20n60h3 rev1 1g.pdf pdf_icon

IGW20N60H3

IGBTHigh speed IGBT in Trench and Fieldstop technologyIGW20N60H3600V high speed switching series third generationDatasheetIndustrial & MultimarketIGW20N60H3High speed switching series third generationHigh speed IGBT in Trench and Fieldstop technologyFeatures: CTRENCHSTOPTM technology offering very low VCEsat low EMI Very soft, fast recovery anti-parallel d

 ..2. Size:1998K  infineon
 igw20n60h3.pdf pdf_icon

IGW20N60H3

IGBTHigh speed IGBT in Trench and Fieldstop technologyIGW20N60H3600V high speed switching series third generationData sheetIndustrial Power ControlIGW20N60H3High speed switching series third generationHigh speed IGBT in Trench and Fieldstop technologyFeatures: CTRENCHSTOPTM technology offering very low VCEsat low EMI Very soft, fast recovery anti-parallel d

Другие IGBT... IGW15N120H3 , IGW40N120H3 , IGP20N60H3 , IGP30N60H3 , IGW50N60H3 , IGW40N60H3 , IGA30N60H3 , IGB20N60H3 , SGT60N60FD1P7 , IGB30N60H3 , IGW30N60H3 , IGW40T120 , IGW30N100T , IGW08T120 , IGW15T120 , IGW25T120 , IGW60T120 .

 

 
Back to Top

 


 
.