Справочник IGBT. IGW30N100T

 

IGW30N100T Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IGW30N100T
   Тип транзистора: IGBT
   Маркировка: G30T100
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 412 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1000 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.4 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 21 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 98 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 217 nC
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IGW30N100T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:797K  infineon
igw30n100t 2 4.pdfpdf_icon

IGW30N100T

IGW30N100TTrenchStop seriesLow Loss IGBT: IGBT in TrenchStop and Fieldstop technologyC TrenchStop and Fieldstop technology for 1000 V applications offers: - low VCEsatGE - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior - positive temperature coefficient in VCEsat Designed for: - frequency Converters - uninterrupted P

 ..2. Size:720K  infineon
igw30n100t.pdfpdf_icon

IGW30N100T

IGW30N100TTrenchStop seriesLow Loss IGBT: IGBT in TrenchStop and Fieldstop technologyC TrenchStop and Fieldstop technology for 1000 V applications offers: - low VCE(sat)GE - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior - positive temperature coefficient in VCE(sat) Designed for: - frequency Converters - uninterrupt

 8.1. Size:1561K  infineon
igw30n60h3 rev1 1g.pdfpdf_icon

IGW30N100T

IGBTHigh speed IGBT in Trench and Fieldstop technologyIGW30N60H3600V high speed switching series third generationDatasheetIndustrial & MultimarketIGW30N60H3High speed switching series third generationHigh speed IGBT in Trench and Fieldstop technologyFeatures: CTRENCHSTOPTM technology offering very low VCEsat low EMI Very soft, fast recovery anti-parallel d

 8.2. Size:1458K  infineon
igw30n60tp.pdfpdf_icon

IGW30N100T

IGBTTRENCHSTOPTM Performance technologyIGW30N60TP600V IGBT TRENCHSTOPTM Performance seriesData sheetIndustrial Power ControlIGW30N60TPTRENCHSTOPTM Performance SeriesHigh speed IGBT in Trench and Fieldstop technologyFeatures: CTRENCHSTOPTM technology offering very low VCEsat low turn-off losses short tail current low EMI G maximum junction temperat

Другие IGBT... IGW50N60H3 , IGW40N60H3 , IGA30N60H3 , IGB20N60H3 , IGW20N60H3 , IGB30N60H3 , IGW30N60H3 , IGW40T120 , GT30F133 , IGW08T120 , IGW15T120 , IGW25T120 , IGW60T120 , IGD06N60T , IGB15N60T , SIW75N65G2L2A , IGP30N60T .

History: HMG15N60 | MGP4N60E | IGW30N60H3 | IXST15N120BD1 | NGTB20N120IHS

 

 
Back to Top

 


 
.