Справочник IGBT. SIW75N65G2L2A

 

SIW75N65G2L2A Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SIW75N65G2L2A
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 90 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 49 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 264 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

SIW75N65G2L2A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:700K  cn super semi
 siw75n65g2l2a.pdf pdf_icon

SIW75N65G2L2A

SUPER-SEMISuper Junction Insulated Gate Bipolar Transistor650V Trench and Super Junction IGBTSI*75N65G2L2ARev. 1.1Jul. 2023www.supersemi.com.cnSIW75N65G2L2A650V Trench and Super Junction IGBTGeneral DescriptionSuper-Semi Trench and Super Junction IGBTs,VCE 650 Vdesigned according to the super junction (SJ)IC 75 Atechnology. The SJ-IGBT series provides lowVCE(sat)

 4.1. Size:701K  cn super semi
 siw75n65g2h2a.pdf pdf_icon

SIW75N65G2L2A

SUPER-SEMISuper Junction Insulated Gate Bipolar Transistor650V Trench and Super Junction IGBTSI*75N65G2H2ARev. 1.1Jul. 2023www.supersemi.com.cnSIW75N65G2H2A650V Trench and Super Junction IGBTGeneral DescriptionSuper-Semi Trench and Super Junction IGBTs,VCE 650 Vdesigned according to the super junction (SJ)IC 75 Atechnology. The SJ-IGBT series provides lowVCE(sat)

Другие IGBT... IGW40T120 , IGW30N100T , IGW08T120 , IGW15T120 , IGW25T120 , IGW60T120 , IGD06N60T , IGB15N60T , CRG60T60AK3HD , IGP30N60T , BSM50GAL120DN2 , IGB50N60T , IGW50N60T , IGW75N60T , IGB10N60T , IGP06N60T , IGP10N60T .

History: MMG400Q060B6EN | 2MBI200TA-060 | IXGH56N60A3 | IKP15N65H5 | 2MBI150VB-120-50 | MG06400D-BN4MM | STGE50NC60WD

 

 
Back to Top

 


 
.