Справочник IGBT. IGB10N60T

 

IGB10N60T Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IGB10N60T
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 24 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 8 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 40 pF
   Тип корпуса: TO263
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IGB10N60T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:602K  infineon
 igb10n60t.pdf pdf_icon

IGB10N60T

IGB10N60T TRENCHSTOP Series p Low Loss IGBT : IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology Features: C Very low VCE(sat) 1.5V (typ.) Maximum Junction Temperature 175C Short circuit withstand time 5s Designed for frequency inverters for washing machines, fans, pumps and vacuum Gcleaners E TRENCHSTOP technology for 600V applications offers :

 ..2. Size:781K  infineon
 igb10n60t rev1 2g.pdf pdf_icon

IGB10N60T

IGB10N60T TrenchStop Series p Low Loss IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology C Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) Maximum Junction Temperature 175 C Short circuit withstand time 5s GE Designed for frequency inverters for washing machines, fans, pumps and vacuum cleaners TrenchStop technology for 600 V applications offers : - very tight

Другие IGBT... IGD06N60T , IGB15N60T , SIW75N65G2L2A , IGP30N60T , BSM50GAL120DN2 , IGB50N60T , IGW50N60T , IGW75N60T , TGPF30N43P , IGP06N60T , IGP10N60T , IGP15N60T , IGP50N60T , AUIRG4BC30S-S , AUIRG4BC30S-SL , AUIRG4BC30U-S , AUIRG4BC30U-SL .

History: MMG200D120B6TC | AOB30B65LN2V | APTGT75DA120D1

 

 
Back to Top

 


 
.