IGB10N60T - аналоги и описание IGBT

 

IGB10N60T - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IGB10N60T

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 24 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 8 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 40 pF

Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для IGB10N60T

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IGB10N60T даташит

 ..1. Size:602K  infineon
 igb10n60t.pdf pdf_icon

IGB10N60T

IGB10N60T TRENCHSTOP Series p Low Loss IGBT IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology Features C Very low VCE(sat) 1.5V (typ.) Maximum Junction Temperature 175 C Short circuit withstand time 5 s Designed for frequency inverters for washing machines, fans, pumps and vacuum G cleaners E TRENCHSTOP technology for 600V applications offers

 ..2. Size:781K  infineon
 igb10n60t rev1 2g.pdf pdf_icon

IGB10N60T

IGB10N60T TrenchStop Series p Low Loss IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology C Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) Maximum Junction Temperature 175 C Short circuit withstand time 5 s G E Designed for frequency inverters for washing machines, fans, pumps and vacuum cleaners TrenchStop technology for 600 V applications offers - very tight

Другие IGBT... IGD06N60T , IGB15N60T , SIW75N65G2L2A , IGP30N60T , BSM50GAL120DN2 , IGB50N60T , IGW50N60T , IGW75N60T , CRG75T60AK3HD , IGP06N60T , IGP10N60T , IGP15N60T , IGP50N60T , AUIRG4BC30S-S , AUIRG4BC30S-SL , AUIRG4BC30U-S , AUIRG4BC30U-SL .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.