Справочник IGBT. IGP06N60T

 

IGP06N60T Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IGP06N60T
   Тип транзистора: IGBT
   Маркировка: G06T60
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 12 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.7 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 6 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 28 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 42 nC
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для IGP06N60T

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IGP06N60T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:489K  infineon
 igp06n60t.pdf pdf_icon

IGP06N60T

IGP06N60TTRENCHSTOP Series qLow Loss IGBT : IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technologyCFeatures: Very low VCE(sat) 1.5V (typ.) Maximum Junction Temperature 175C Short circuit withstand time 5s GE TRENCHSTOP and Fieldstop technology for 600V applications offers :- very tight parameter distribution- high ruggedness, temperature stable behavior

 0.1. Size:371K  infineon
 igp06n60trev2 2g.pdf pdf_icon

IGP06N60T

IGP06N60T TrenchStop Series q Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology Features: C Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) Maximum Junction Temperature 175 C Short circuit withstand time 5s G TrenchStop and Fieldstop technology for 600 V applications offers : E - very tight parameter distribution - high ruggedness, temper

Другие IGBT... IGB15N60T , SIW75N65G2L2A , IGP30N60T , BSM50GAL120DN2 , IGB50N60T , IGW50N60T , IGW75N60T , IGB10N60T , TGAN20N135FD , IGP10N60T , IGP15N60T , IGP50N60T , AUIRG4BC30S-S , AUIRG4BC30S-SL , AUIRG4BC30U-S , AUIRG4BC30U-SL , AUIRG4PH50S .

History: NGTB50N60L2

 

 
Back to Top

 


 
.