IGP06N60T - аналоги и описание IGBT

 

IGP06N60T - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IGP06N60T

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 12 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 6 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 28 pF

Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для IGP06N60T

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IGP06N60T даташит

 ..1. Size:489K  infineon
 igp06n60t.pdf pdf_icon

IGP06N60T

IGP06N60T TRENCHSTOP Series q Low Loss IGBT IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology C Features Very low VCE(sat) 1.5V (typ.) Maximum Junction Temperature 175 C Short circuit withstand time 5 s G E TRENCHSTOP and Fieldstop technology for 600V applications offers - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior

 0.1. Size:371K  infineon
 igp06n60trev2 2g.pdf pdf_icon

IGP06N60T

IGP06N60T TrenchStop Series q Low Loss DuoPack IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology Features C Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) Maximum Junction Temperature 175 C Short circuit withstand time 5 s G TrenchStop and Fieldstop technology for 600 V applications offers E - very tight parameter distribution - high ruggedness, temper

Другие IGBT... IGB15N60T , SIW75N65G2L2A , IGP30N60T , BSM50GAL120DN2 , IGB50N60T , IGW50N60T , IGW75N60T , IGB10N60T , FGH75T65UPD , IGP10N60T , IGP15N60T , IGP50N60T , AUIRG4BC30S-S , AUIRG4BC30S-SL , AUIRG4BC30U-S , AUIRG4BC30U-SL , AUIRG4PH50S .

History: IGP15N60T

 

 

 


 
↑ Back to Top
.