Справочник IGBT. IRG6I330U

 

IRG6I330U - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IRG6I330U
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 330 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 28 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.3 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 32 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 108 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 86 nC
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для IRG6I330U

 

 

IRG6I330U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:306K  international rectifier
 irg6i330u.pdf

IRG6I330U IRG6I330U

PD - 96192AIRG6I330UPbFPDP TRENCH IGBTKey ParametersFeaturesVCE min330 Vl Advanced Trench IGBT TechnologyVCE(ON) typ. @ IC = 28A1.30 Vl Optimized for Sustain and Energy Recoverycircuits in PDP applications IRP max @ TC= 25C250 Al Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM)TJ max150 Cfor improved panel efficiencyl High repetitive peak current capabilityl L

 8.1. Size:253K  international rectifier
 irg6i320u.pdf

IRG6I330U IRG6I330U

PD - 97351AIRG6I320UPbFPDP TRENCH IGBTKey ParametersFeaturesVCE min330 Vl Advanced Trench IGBT Technologyl Optimized for Sustain and Energy RecoveryVCE(ON) typ. @ IC = 24A1.45 Vcircuits in PDP applicationsIRP max @ TC= 25C160 Al Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM)TJ max150 Cfor improved panel efficiencyl High repetitive peak current capabilityl

 9.1. Size:285K  international rectifier
 irg6ic30u.pdf

IRG6I330U IRG6I330U

PD - 97386IRG6IC30UPbFPDP TRENCH IGBTKey ParametersFeaturesVCE min600 Vl Advanced Trench IGBT TechnologyVCE(ON) typ. @ IC = 25A1.50 Vl Optimized for Sustain and Energy Recoverycircuits in PDP applications IRP max @ TC= 25C 250 Al Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM)TJ max150 Cfor improved panel efficiencyl High repetitive peak current capabilityl L

Другие IGBT... IRG4PC60U-P , IRG4PH40UD2-E , IRG4PH50S-E , IRG4PSH71U , IRG4PSH71UD , IRG4RC20F , IRG6B330UD , IRG6I320U , RJP30H1DPD , IRG6IC30U , IRG6S320U , IRG6S330U , IRG7I313U , IRG7I319U , IRG7IA13U , IRG7IA19U , IRG7IC28U .

 

 
Back to Top