IRG7I319U datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IRG7I319U  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 330 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 22 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 57 pF

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IRG7I319U

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRG7I319U даташит

 ..1. Size:297K  international rectifier
 irg7i319u.pdf pdf_icon

IRG7I319U

PD -96273 PDP TRENCH IGBT IRG7I319UPbF Key Parameters Features VCE min 330 V l Advanced Trench IGBT Technology VCE(ON) typ. @ IC = 30A 1.42 V l Optimized for Sustain and Energy Recovery IRP max @ TC= 25 C 170 A circuits in PDP applications TJ max 150 C l Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM) for improved panel efficiency l High repetitive peak current capability C l

 7.1. Size:203K  international rectifier
 irg7i313u.pdf pdf_icon

IRG7I319U

PD - 97411 IRG7I313UPbF PDP TRENCH IGBT Key Parameters Features VCE min 330 V l Advanced Trench IGBT Technology VCE(ON) typ. @ IC = 20A 1.35 V l Optimized for Sustain and Energy Recovery circuits in PDP applications IRP max @ TC= 25 C 160 A l Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM) TJ max 150 C for improved panel efficiency l High repetitive peak current capability l L

 9.1. Size:298K  international rectifier
 irg7ic30fd.pdf pdf_icon

IRG7I319U

IRG7IC30FDPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features C Low VCE(on) VCES = 600V Zero VCE(on) temperature coefficient 3 s Short Circuit Capability INOM = 24A Square RBSOA VCE(on) typ. = 1.60V Benefits G Benchmark Efficiency for Motor Control Applications E tSC 3 s, TJ(max) = 150 C Rugged Transient Performance

 9.2. Size:287K  international rectifier
 irg7ia19u.pdf pdf_icon

IRG7I319U

PD-96356 PDP TRENCH IGBT IRG7IA19UPbF Features Key Parameters VCE min 360 V l Advanced Trench IGBT Technology VCE(ON) typ. @ IC = 30A 1.49 V l Optimized for Sustain and Energy Recovery circuits in PDP applications IRP max @ TC= 25 C 170 A l Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM) TJ max 150 C for improved panel efficiency l High repetitive peak current capability l Lea

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRG4RC20F, IRG6B330UD, IRG6I320U, IRG6I330U, IRG6IC30U, IRG6S320U, IRG6S330U, IRG7I313U, FGA60N65SMD, IRG7IA13U, IRG7IA19U, IRG7IC28U, IRG7P313U, IRG7PA19U, IRG7PC28U, IRG7PH30K10, IRG7PH30K10D