IRG7PH42UD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IRG7PH42UD

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 320 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 85 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 32 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 124 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IRG7PH42UD

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRG7PH42UD даташит

 ..1. Size:435K  international rectifier
 irg7ph42ud.pdf pdf_icon

IRG7PH42UD

PD - 97391B IRG7PH42UDPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH IRG7PH42UD-EP ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features C Low VCE (ON) trench IGBT technology VCES = 1200V Low switching losses Square RBSOA IC = 45A, TC = 100 C 100% of the parts tested for ILM Positive VCE (ON) temperature co-efficient G TJ(max) = 150 C Ultra fast soft recovery co-pak diod

 0.1. Size:435K  international rectifier
 irg7ph42ud-ep.pdf pdf_icon

IRG7PH42UD

PD - 97391B IRG7PH42UDPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH IRG7PH42UD-EP ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features C Low VCE (ON) trench IGBT technology VCES = 1200V Low switching losses Square RBSOA IC = 45A, TC = 100 C 100% of the parts tested for ILM Positive VCE (ON) temperature co-efficient G TJ(max) = 150 C Ultra fast soft recovery co-pak diod

 0.2. Size:1498K  international rectifier
 irg7ph42udpbf.pdf pdf_icon

IRG7PH42UD

 0.3. Size:283K  international rectifier
 irg7ph42ud1m.pdf pdf_icon

IRG7PH42UD

IRG7PH42UD1MPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS Features C Low VCE (ON) trench IGBT technology VCES = 1200V Low switching losses Square RBSOA IC = 45A, TC = 100 C Ultra-low VF Diode TJ(max) = 150 C 1300Vpk repetitive transient capacity G 100% of the parts tested for ILM VCE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRG7PA19U, IRG7PC28U, IRG7PH30K10, IRG7PH30K10D, IRG7PH35U, IRG7PH35UD, IRG7PH35UD1, IRG7PH42U, GT30G124, IRG7PH42UD1, IRG7PH46U, IRG7PH46UD, IRG7PH50U, IRG7PH50U-EP, IRG7PSH50UD, IRG7PSH73K10, IRG7R313U