IRG7PH42UD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IRG7PH42UD
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 320 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 85 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 32 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 124 pF
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для IRG7PH42UD
IRG7PH42UD Datasheet (PDF)
irg7ph42ud.pdf
PD - 97391BIRG7PH42UDPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHIRG7PH42UD-EPULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEFeaturesC Low VCE (ON) trench IGBT technologyVCES = 1200V Low switching losses Square RBSOAIC = 45A, TC = 100C 100% of the parts tested for ILM Positive VCE (ON) temperature co-efficientG TJ(max) = 150C Ultra fast soft recovery co-pak diod
irg7ph42ud-ep.pdf
PD - 97391BIRG7PH42UDPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHIRG7PH42UD-EPULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEFeaturesC Low VCE (ON) trench IGBT technologyVCES = 1200V Low switching losses Square RBSOAIC = 45A, TC = 100C 100% of the parts tested for ILM Positive VCE (ON) temperature co-efficientG TJ(max) = 150C Ultra fast soft recovery co-pak diod
irg7ph42ud1m.pdf
IRG7PH42UD1MPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODEFOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONSFeaturesC Low VCE (ON) trench IGBT technologyVCES = 1200V Low switching losses Square RBSOAIC = 45A, TC = 100C Ultra-low VF DiodeTJ(max) = 150C 1300Vpk repetitive transient capacityG 100% of the parts tested for ILM VCE
irg7ph42ud1.pdf
IRG7PH42UD1PbFIRG7PH42UD1-EPINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODEFOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONSFeaturesCVCES = 1200V Low VCE (ON) trench IGBT technology Low switching losses Square RBSOA I NOMINAL = 30A Ultra-low VF DiodeG 1300Vpk repetitive transient capacityTJ(max) = 150C 100% of the parts tested for IL
Другие IGBT... IRG7PA19U , IRG7PC28U , IRG7PH30K10 , IRG7PH30K10D , IRG7PH35U , IRG7PH35UD , IRG7PH35UD1 , IRG7PH42U , IRG7R313U , IRG7PH42UD1 , IRG7PH46U , IRG7PH46UD , IRG7PH50U , IRG7PH50U-EP , IRG7PSH50UD , IRG7PSH73K10 , IRG7R313U .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2