IRG7R313U - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IRG7R313U
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 78
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 330
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 40
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.35
Тип корпуса: D-PAK
IRG7R313U Datasheet (PDF)
irg7r313u.pdf
PD - 97484IRG7R313UPbFPDP TRENCH IGBTKey ParametersFeaturesVCE min 330 Vl Advanced Trench IGBT Technologyl Optimized for Sustain and Energy RecoveryVCE(ON) typ. @ IC = 20A 1.35 Vcircuits in PDP applicationsIRP max @ TC= 25C 160 Al Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM)TJ max 150 Cfor improved panel efficiencyl High repetitive peak current capabilityl Lead
irg7rc07sd.pdf
PD - 96425IRG7RC07SDPbFOptimized for line frequency, 50/60Hz switching frequencyFeaturesC Standard speed IGBT for switchingfrequency less than 1KHzVCES = 600V Very low VCE (ON) Ultra fast soft recovery diodeIC = 8.5A, TC = 100CGVCE(on) typ. =1.2V@IC = 3ABenefitsE High efficiency for line frequency applicationsn-channel Higher reliability from r
irg7rc10fd.pdf
PD - 97759IRG7RC10FDPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHCVCES = 600VULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEIC = 9.0A, TC = 100CFeatures Low VCE(on)tsc > 3s, Tjmax = 150CG Zero VCE(on) temperature coefficient 3s Short Circuit CapabilityVCE(on) typ. = 1.6VE Ultra Fast Soft Recovery Co-pak Diode@ IC = 5A Square RBSOAn-channelBenefits Ben
Другие IGBT... IRG7PH42UD , IRG7PH42UD1 , IRG7PH46U , IRG7PH46UD , IRG7PH50U , IRG7PH50U-E , IRG7PSH50UD , IRG7PSH73K10 , IRGB4062D , IRG7S313U , IRG7S319U , IRG7SC12F , IRG7SC28U , IRGB10B60KD , IRGB14C40L , IRGB15B60KD , IRGB20B60PD1 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: HIA20N140IH-DA | HIA50N65IH-JA | HIA50N65H-SA | HIA50N65T-SA | HIA50N65H-JA | HIA50N65T-JA | HIA30N140CIH-DA | HIA40N120T-SA | HIW30N65T-SA | HIA30N65T-SA | HIA75N65H-SA