IRG7SC28U
- IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IRG7SC28U
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ -
Максимальная рассеиваемая мощность: 171
W
|Vce|ⓘ -
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600
V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30
V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора:
60
A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое:
1.7
V @25℃
|VGEth|ⓘ -
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 4.7
V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода:
150
℃
trⓘ -
Время нарастания типовое: 35
nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 75
pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 70
nC
Тип корпуса:
D2PAK
Аналог (замена) для IRG7SC28U
IRG7SC28U
Datasheet (PDF)
..1. Size:213K international rectifier
irg7sc28u.pdf PD - 97569APDP TRENCH IGBTIRG7SC28UPbFKey ParametersFeaturesVCE min600 Vl Advanced Trench IGBT TechnologyVCE(ON) typ. @ IC = 40A1.70 Vl Optimized for Sustain and Energy Recoverycircuits in PDP applicationsIRP max @ TC= 25C 225 Al Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM)TJ max150 Cfor improved panel efficiencyl High repetitive peak current capabilityl
8.1. Size:252K international rectifier
irg7sc12f.pdf PD - 96363IRG7SC12FPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCFeaturesVCES = 600V Low VCE (ON) Trench IGBT Technology Maximum Junction temperature 150 CIC = 8A, TC = 100C 3 S short circuit SOA Square RBSOA GtSC 3s, TJ(max) = 150C Positive VCE (ON) Temperature co-efficientE Tight parameter distributionVCE(on) typ. = 1.60V Lead Free Pac
9.1. Size:244K international rectifier
irg7s319u.pdf PD - 97155IRG7S319UPbFPDP TRENCH IGBTKey ParametersFeaturesVCE min 330 Vl Advanced Trench IGBT Technologyl Optimized for Sustain and Energy RecoveryVCE(ON) typ. @ IC = 20A 1.26 Vcircuits in PDP applicationsIRP max @ TC= 25C 170 Al Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM)TJ max 150 Cfor improved panel efficiencyl High repetitive peak current capabilityl Lead
9.2. Size:244K international rectifier
irg7s313u.pdf PD - 97402AIRG7S313UPbFPDP TRENCH IGBTKey ParametersFeaturesVCE min 330 Vl Advanced Trench IGBT Technologyl Optimized for Sustain and Energy RecoveryVCE(ON) typ. @ IC = 20A 1.35 Vcircuits in PDP applicationsIRP max @ TC= 25C 160 Al Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSETM)TJ max 150 Cfor improved panel efficiencyl High repetitive peak current capabilityl Lead
Другие IGBT... IRG7PH50U
, IRG7PH50U-EP
, IRG7PSH50UD
, IRG7PSH73K10
, IRG7R313U
, IRG7S313U
, IRG7S319U
, IRG7SC12F
, NGD8201N
, IRGB10B60KD
, IRGB14C40L
, IRGB15B60KD
, IRGB20B60PD1
, IRGB30B60K
, IRGB4045D
, IRGB4056D
, IRGB4059D
.