Справочник IGBT. IRGB6B60KD

 

IRGB6B60KD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IRGB6B60KD
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 13 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 17 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 34 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 18.2 nC
   Тип корпуса: TO220AB
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IRGB6B60KD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:311K  international rectifier
 irgb6b60kd.pdf pdf_icon

IRGB6B60KD

PD - 94381EIRGB6B60KDIRGS6B60KDINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHIRGSL6B60KDULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODECVCES = 600VFeatures Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. Low Diode VF.IC = 7.0A, TC=100C 10s Short Circuit Capability. Square RBSOA.G Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.tsc > 10s, TJ=150C Positive VCE (

 5.1. Size:249K  international rectifier
 irgb6b60k.pdf pdf_icon

IRGB6B60KD

PD - 94575AIRGB6B60KIRGS6B60KINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORIRGSL6B60KCVCES = 600VFeatures Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. 10s Short Circuit Capability.IC = 7.0A, TC=100C Square RBSOA. Positive VCE (on) Temperature Coefficient.Gtsc > 10s, TJ=150CEVCE(on) typ. = 1.8Vn-channelBenefits Benchmark Efficiency for Motor Con

Другие IGBT... IRGB4061D , IRGB4062D , IRGB4064D , IRGB4086 , IRGB4B60K , IRGB4B60KD1 , IRGB5B120KD , IRGB6B60K , CRG75T60AK3HD , IRGB8B60K , IRGI4086 , IRGI4090 , IRGIB10B60KD1 , IRGIB15B60KD1 , IRGIB6B60KD , IRGIB7B60KD , IRGP20B120UD-E .

History: SG50N06DS | HIA50N65T-SA | APT11GF120BRD1

 

 
Back to Top

 


 
.