IRGIB15B60KD1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IRGIB15B60KD1  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 19 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 25 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 100 pF

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IRGIB15B60KD1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRGIB15B60KD1 даташит

 ..1. Size:282K  international rectifier
 irgib15b60kd1.pdf pdf_icon

IRGIB15B60KD1

PD- 94599A IRGIB15B60KD1 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C VCES = 600V Features Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. IC = 12A, TC=100 C Low Diode VF. 10 s Short Circuit Capability. G Square RBSOA. tsc > 10 s, TJ=150 C Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. Positive VCE (on) Temperature Coeffici

 0.1. Size:382K  international rectifier
 irgib15b60kd1p.pdf pdf_icon

IRGIB15B60KD1

PD- 94914 IRGIB15B60KD1P INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C VCES = 600V Features Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. IC = 12A, TC=100 C Low Diode VF. 10 s Short Circuit Capability. G Square RBSOA. tsc > 10 s, TJ=150 C Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. Positive VCE (on) Temperature Coeffici

 8.1. Size:392K  international rectifier
 irgib10b60kd1p.pdf pdf_icon

IRGIB15B60KD1

 8.2. Size:384K  international rectifier
 irgib10b60kd1.pdf pdf_icon

IRGIB15B60KD1

PD-94576A IRGIB10B60KD1 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C VCES = 600V Features Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. IC = 10A, TC=100 C Low Diode VF. 10 s Short Circuit Capability. G Square RBSOA. tsc > 10 s, TJ=150 C Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. Positive VCE (on) Temperature Coefficie

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRGB4B60KD1, IRGB5B120KD, IRGB6B60K, IRGB6B60KD, IRGB8B60K, IRGI4086, IRGI4090, IRGIB10B60KD1, IKW50N60H3, IRGIB6B60KD, IRGIB7B60KD, IRGP20B120UD-E, IRGP20B120U-E, IRGP20B60PD, IRGP30B120KD-E, IRGP30B60KD-E, IRGP35B60PD