Справочник IGBT. IRGIB15B60KD1

 

IRGIB15B60KD1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IRGIB15B60KD1
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 19 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 25 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 100 pF
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для IRGIB15B60KD1

 

 

IRGIB15B60KD1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:282K  international rectifier
 irgib15b60kd1.pdf

IRGIB15B60KD1 IRGIB15B60KD1

PD- 94599AIRGIB15B60KD1INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODECVCES = 600VFeatures Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.IC = 12A, TC=100C Low Diode VF. 10s Short Circuit Capability.G Square RBSOA.tsc > 10s, TJ=150C Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. Positive VCE (on) Temperature Coeffici

 0.1. Size:382K  infineon
 irgib15b60kd1p.pdf

IRGIB15B60KD1 IRGIB15B60KD1

PD- 94914IRGIB15B60KD1PINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODECVCES = 600VFeatures Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.IC = 12A, TC=100C Low Diode VF. 10s Short Circuit Capability.G Square RBSOA.tsc > 10s, TJ=150C Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. Positive VCE (on) Temperature Coeffici

 8.1. Size:384K  international rectifier
 irgib10b60kd1.pdf

IRGIB15B60KD1 IRGIB15B60KD1

PD-94576AIRGIB10B60KD1INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODECVCES = 600VFeatures Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.IC = 10A, TC=100C Low Diode VF. 10s Short Circuit Capability.G Square RBSOA.tsc > 10s, TJ=150C Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. Positive VCE (on) Temperature Coefficie

 8.2. Size:392K  infineon
 irgib10b60kd1p.pdf

IRGIB15B60KD1 IRGIB15B60KD1

IRGIB10B60KD1PINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHCULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEVCES = 600VFeatures Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.IC = 10A, TC=100C Low Diode VF. 10s Short Circuit Capability.G Square RBSOA.tsc > 10s, TJ=150C Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. Positive VCE (on) Temperature Coefficient.E

Другие IGBT... IRGB4B60KD1 , IRGB5B120KD , IRGB6B60K , IRGB6B60KD , IRGB8B60K , IRGI4086 , IRGI4090 , IRGIB10B60KD1 , GT30J127 , IRGIB6B60KD , IRGIB7B60KD , IRGP20B120UD-E , IRGP20B120U-E , IRGP20B60PD , IRGP30B120KD-E , IRGP30B60KD-E , IRGP35B60PD .

 

 
Back to Top