IRGP4069 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IRGP4069  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 268 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 76 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 197 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IRGP4069

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRGP4069 даташит

 ..1. Size:268K  international rectifier
 irgp4069.pdf pdf_icon

IRGP4069

PD - 97426 IRGP4069PbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR IRGP4069-EPbF Features C Low VCE (ON) Trench IGBT Technology VCES = 600V Low Switching Losses Maximum Junction Temperature 175 C IC(Nominal) = 35A 5 S short circuit SOA Square RBSOA G tSC 5 s, TJ(max) = 175 C 100% of The Parts Tested for ILM E Positive VCE (ON) Temperature Coefficient

 0.1. Size:295K  international rectifier
 irgp4069dpbf.pdf pdf_icon

IRGP4069

PD - 97425 IRGP4069DPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH IRGP4069D-EPbF ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features C Low VCE (ON) Trench IGBT Technology VCES = 600V Low Switching Losses Maximum Junction Temperature 175 C IC(Nominal) = 35A 5 S short circuit SOA Square RBSOA G tSC 5 s, TJ(max) = 175 C 100% of The Parts Tested for ILM Positiv

 0.2. Size:309K  international rectifier
 irgp4069d-e.pdf pdf_icon

IRGP4069

PD - 97425 IRGP4069DPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH IRGP4069D-EPbF ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features C Low VCE (ON) Trench IGBT Technology VCES = 600V Low Switching Losses Maximum Junction Temperature 175 C IC(Nominal) = 35A 5 S short circuit SOA Square RBSOA G tSC 5 s, TJ(max) = 175 C 100% of The Parts Tested for ILM Positiv

 0.3. Size:309K  international rectifier
 irgp4069d.pdf pdf_icon

IRGP4069

PD - 97425 IRGP4069DPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH IRGP4069D-EPbF ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features C Low VCE (ON) Trench IGBT Technology VCES = 600V Low Switching Losses Maximum Junction Temperature 175 C IC(Nominal) = 35A 5 S short circuit SOA Square RBSOA G tSC 5 s, TJ(max) = 175 C 100% of The Parts Tested for ILM Positiv

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRGP4063, IRGP4063D, IRGP4066, IRGP4066D, IRGP4066D-E, IRGP4066-E, IRGP4068D, IRGP4068D-E, IHW20N135R3, IRGP4069D, IRGP4072D, IRGP4086, IRGP50B60PD, IRGP50B60PD1, IRGP50B60PD1-EP, IRGPS40B120U, IRGPS40B120UD