IRGS30B60K - аналоги и описание IGBT

 

IRGS30B60K - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IRGS30B60K

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 370 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 78 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 28 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 160 pF

Тип корпуса: D2PAK

 Аналог (замена) для IRGS30B60K

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRGS30B60K даташит

 ..1. Size:339K  international rectifier
 irgs30b60k.pdf pdf_icon

IRGS30B60K

PD - 94799A IRGB30B60K IRGS30B60K IRGSL30B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR C VCES = 600V Features IC = 50A, TC=100 C Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. at TJ=175 C 10 s Short Circuit Capability. G Square RBSOA. tsc > 10 s, TJ=150 C Positive VCE (on) Temperature Coefficient. E Maximum Junction Temperature rated at 175 C. VCE(on) typ.

 0.1. Size:305K  international rectifier
 auirgs30b60k.pdf pdf_icon

IRGS30B60K

PD - 96334 AUTOMOTIVE GRADE AUIRGS30B60K AUIRGSL30B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR C VCES = 600V Features Low VCE(on) Non Punch Through IGBT Technology IC = 50A, TC=100 C 10 s Short Circuit Capability at TJ=175 C Square RBSOA G tsc > 10 s, TJ=150 C Positive VCE(on) Temperature Coefficient E Maximum Junction Temperature rated at 175 C VCE(on) typ.

Другие IGBT... IRGP50B60PD1-EP , IRGPS40B120U , IRGPS40B120UD , IRGPS60B120KD , IRGR3B60KD2 , IRGS10B60KD , IRGS15B60K , IRGS15B60KD , MBQ60T65PES , IRGS4056D , IRGS4062D , IRGS4086 , IRGS4B60K , IRGS4B60KD1 , IRGS6B60K , IRGS6B60KD , IRGS8B60K .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.