Справочник IGBT. IRGS30B60K

 

IRGS30B60K - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: IRGS30B60K

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 370

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.35

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 78

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для IRGS30B60K

 

 

IRGS30B60K Datasheet (PDF)

0.1. irgs30b60k.pdf Size:339K _international_rectifier

IRGS30B60K
IRGS30B60K

PD - 94799AIRGB30B60KIRGS30B60KIRGSL30B60KINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCVCES = 600VFeaturesIC = 50A, TC=100C Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.at TJ=175C 10s Short Circuit Capability.G Square RBSOA.tsc > 10s, TJ=150C Positive VCE (on) Temperature Coefficient.E Maximum Junction Temperature rated at 175C.VCE(on) typ.

0.2. auirgs30b60k.pdf Size:305K _international_rectifier

IRGS30B60K
IRGS30B60K

PD - 96334AUTOMOTIVE GRADEAUIRGS30B60KAUIRGSL30B60KINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCVCES = 600VFeatures Low VCE(on) Non Punch Through IGBT TechnologyIC = 50A, TC=100C 10s Short Circuit Capabilityat TJ=175C Square RBSOA Gtsc > 10s, TJ=150C Positive VCE(on) Temperature CoefficientE Maximum Junction Temperature rated at 175CVCE(on) typ.

 

Другие IGBT... IRGP50B60PD1-E , IRGPS40B120U , IRGPS40B120UD , IRGPS60B120KD , IRGR3B60KD2 , IRGS10B60KD , IRGS15B60K , IRGS15B60KD , G40N60B3 , IRGS4056D , IRGS4062D , IRGS4086 , IRGS4B60K , IRGS4B60KD1 , IRGS6B60K , IRGS6B60KD , IRGS8B60K .

 

 
Back to Top