Справочник IGBT. RJH1CD7DPQ-E0

 

RJH1CD7DPQ-E0 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: RJH1CD7DPQ-E0
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 328.9 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 70 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

RJH1CD7DPQ-E0 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:98K  renesas
rjh1cd7dpq-e0.pdfpdf_icon

RJH1CD7DPQ-E0

Preliminary Datasheet RJH1CD7DPQ-E0 R07DS0519EJ05001200V - 30A - IGBT Rev.5.00Application: Inverter Jun 12, 2012Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.8 V typ. (at IC = 30 A, VGE = 15 V, Ta = 25C) Built-in fast recovery diode (trr = 180 ns typ.) in one package Trench gate and thin wa

 3.1. Size:50K  renesas
rjh1cd7dpq-a0.pdfpdf_icon

RJH1CD7DPQ-E0

Preliminary DatasheetRJH1CD7DPQ-A0 R07DS0453EJ01001200 V - 25 A - IGBT Rev.1.00Application: Inverter Jul 22, 2011Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 2.2 V typ. (at IC = 25 A, VGE = 15 V, Ta = 25C) Built in fast recovery diode (trr = 100 ns typ.) in one package Trench gate and thin wa

 4.1. Size:53K  renesas
r07ds0453ej rjh1cd7dpq.pdfpdf_icon

RJH1CD7DPQ-E0

Preliminary DatasheetRJH1CD7DPQ-A0 R07DS0453EJ01001200 V - 25 A - IGBT Rev.1.00Application: Inverter Jul 22, 2011Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 2.2 V typ. (at IC = 25 A, VGE = 15 V, Ta = 25C) Built in fast recovery diode (trr = 100 ns typ.) in one package Trench gate and thin wa

 4.2. Size:53K  renesas
r07ds0519ej rjh1cd7dpq.pdfpdf_icon

RJH1CD7DPQ-E0

Preliminary DatasheetRJH1CD7DPQ-E0 R07DS0519EJ03001200 V - 30 A - IGBT Rev.3.00Application: Inverter Nov 21, 2011Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 2.0 V typ. (at IC = 30 A, VGE = 15 V, Ta = 25C) Built in fast recovery diode (trr = 100 ns typ.) in one package Trench gate and thin wa

Другие IGBT... IRGSL4062D , IRGSL4B60KD1 , IRGSL6B60KD , RJH1CD5DPQ-A0 , RJH1CD5DPQ-E0 , RJH1CD6DPQ-A0 , RJH1CD6DPQ-E0 , RJH1CD7DPQ-A0 , GT30G124 , RJH1CM5DPQ-E0 , RJH1CM6DPQ-E0 , RJH1CM7DPQ-E0 , RJH1CV5DPQ-E0 , RJH1CV6DPQ-E0 , RJH1CV7DPQ-E0 , RJH30H1DPP-M0 , RJH30H2DPK-M0 .

History: SPT50N65F1A1 | KGT15N120NDS | NGTB15N135IHRWG | GT60J101 | IXYX120N120C3 | IQGB400N60I4 | SGTP50V60FD2PF

 

 
Back to Top

 


 
.