Справочник IGBT. RJH6086BDPK

 

RJH6086BDPK Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: RJH6086BDPK
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 198.4 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 45 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.65 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 71 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 165 pF
   Тип корпуса: TO3P
 
   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

RJH6086BDPK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:91K  renesas
 rjh6086bdpk.pdf pdf_icon

RJH6086BDPK

Preliminary Datasheet RJH6086BDPK R07DS0470EJ0100600 V - 45 A - IGBT Rev.1.00High Speed Power Switching Sep 28, 2011Features Ultra high speed switching tf = 36 ns typ. (at IC = 30 A, VCC = 300 V, VGE = 15 V, Rg = 5 Inductive Load) Low on-state voltage Fast recovery diode Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZE-A(Package name: TO-3P)C41. G

 6.1. Size:94K  renesas
 r07ds0470ej rjh6086bpk.pdf pdf_icon

RJH6086BDPK

Preliminary Datasheet RJH6086BDPK R07DS0470EJ0100600 V - 45 A - IGBT Rev.1.00High Speed Power Switching Sep 28, 2011Features Ultra high speed switching tf = 36 ns typ. (at IC = 30 A, VCC = 300 V, VGE = 15 V, Rg = 5 Inductive Load) Low on-state voltage Fast recovery diode Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZE-A(Package name: TO-3P)C41. G

 8.1. Size:104K  renesas
 rjh6087bdpk.pdf pdf_icon

RJH6086BDPK

Preliminary Datasheet RJH6087BDPK R07DS0389EJ0100Silicon N Channel IGBT Rev.1.00High Speed Power Switching May 11, 2011Features Ultra high speed switching tf = 55 ns typ. (at IC = 30 A, VCC = 300 V, VGE = 15 V, Rg = 5 , Inductive Load) Low on-state voltage Fast recovery diode Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZE-A(Package name: TO-3P)C41. Gat

 8.2. Size:107K  renesas
 r07ds0390ej rjh6088bdp.pdf pdf_icon

RJH6086BDPK

Preliminary Datasheet RJH6088BDPK R07DS0390EJ0100Silicon N Channel IGBT Rev.1.00High Speed Power Switching May 11, 2011Features Ultra high speed switching tf = 60 ns typ. (at IC = 40 A, VCC = 300 V, VGE = 15 V, Rg = 5 , Inductive Load) Low on-state voltage Fast recovery diode Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZE-A(Package name: TO-3P)C41. Gat

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RJH1CM5DPQ-E0 , RJH1CM6DPQ-E0 , RJH1CM7DPQ-E0 , RJH1CV5DPQ-E0 , RJH1CV6DPQ-E0 , RJH1CV7DPQ-E0 , RJH30H1DPP-M0 , RJH30H2DPK-M0 , FGH60N60SFD , RJH6087BDPK , RJH6088BDPK , RJH60D0DPM , RJH60D0DPQ-A0 , RJH60D5DPM , RJH60D5DPQ-A0 , RJH60D6DPM , RJH60D7ADPK .

 

 
Back to Top

 


 
.