RJH6086BDPK datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: RJH6086BDPK  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 198.4 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 45 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.65 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 71 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 165 pF

Тип корпуса: TO3P

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для RJH6086BDPK

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

RJH6086BDPK даташит

 ..1. Size:91K  renesas
 rjh6086bdpk.pdf pdf_icon

RJH6086BDPK

Preliminary Datasheet RJH6086BDPK R07DS0470EJ0100 600 V - 45 A - IGBT Rev.1.00 High Speed Power Switching Sep 28, 2011 Features Ultra high speed switching tf = 36 ns typ. (at IC = 30 A, VCC = 300 V, VGE = 15 V, Rg = 5 Inductive Load) Low on-state voltage Fast recovery diode Outline RENESAS Package code PRSS0004ZE-A (Package name TO-3P) C 4 1. G

 6.1. Size:94K  renesas
 r07ds0470ej rjh6086bpk.pdf pdf_icon

RJH6086BDPK

Preliminary Datasheet RJH6086BDPK R07DS0470EJ0100 600 V - 45 A - IGBT Rev.1.00 High Speed Power Switching Sep 28, 2011 Features Ultra high speed switching tf = 36 ns typ. (at IC = 30 A, VCC = 300 V, VGE = 15 V, Rg = 5 Inductive Load) Low on-state voltage Fast recovery diode Outline RENESAS Package code PRSS0004ZE-A (Package name TO-3P) C 4 1. G

 8.1. Size:104K  renesas
 rjh6087bdpk.pdf pdf_icon

RJH6086BDPK

Preliminary Datasheet RJH6087BDPK R07DS0389EJ0100 Silicon N Channel IGBT Rev.1.00 High Speed Power Switching May 11, 2011 Features Ultra high speed switching tf = 55 ns typ. (at IC = 30 A, VCC = 300 V, VGE = 15 V, Rg = 5 , Inductive Load) Low on-state voltage Fast recovery diode Outline RENESAS Package code PRSS0004ZE-A (Package name TO-3P) C 4 1. Gat

 8.2. Size:107K  renesas
 r07ds0390ej rjh6088bdp.pdf pdf_icon

RJH6086BDPK

Preliminary Datasheet RJH6088BDPK R07DS0390EJ0100 Silicon N Channel IGBT Rev.1.00 High Speed Power Switching May 11, 2011 Features Ultra high speed switching tf = 60 ns typ. (at IC = 40 A, VCC = 300 V, VGE = 15 V, Rg = 5 , Inductive Load) Low on-state voltage Fast recovery diode Outline RENESAS Package code PRSS0004ZE-A (Package name TO-3P) C 4 1. Gat

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RJH1CM5DPQ-E0, RJH1CM6DPQ-E0, RJH1CM7DPQ-E0, RJH1CV5DPQ-E0, RJH1CV6DPQ-E0, RJH1CV7DPQ-E0, RJH30H1DPP-M0, RJH30H2DPK-M0, SGT50T65FD1PN, RJH6087BDPK, RJH6088BDPK, RJH60D0DPM, RJH60D0DPQ-A0, RJH60D5DPM, RJH60D5DPQ-A0, RJH60D6DPM, RJH60D7ADPK