Справочник IGBT. RJH60D0DPQ-A0

 

RJH60D0DPQ-A0 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: RJH60D0DPQ-A0
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 45 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 70 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 45 nC
   Тип корпуса: TO247A
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

RJH60D0DPQ-A0 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:82K  renesas
 rjh60d0dpq-a0.pdf pdf_icon

RJH60D0DPQ-A0

Preliminary Datasheet RJH60D0DPQ-A0 R07DS0526EJ0100600 V - 22 A - IGBT Rev.1.00Application: Inverter Aug 26, 2011Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 22 A, VGE = 15 V, Ta = 25C) Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package Trench gate and thin wafer t

 4.1. Size:85K  renesas
 r07ds0526ej rjh60d0dpq.pdf pdf_icon

RJH60D0DPQ-A0

Preliminary Datasheet RJH60D0DPQ-A0 R07DS0526EJ0100600 V - 22 A - IGBT Rev.1.00Application: Inverter Aug 26, 2011Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 22 A, VGE = 15 V, Ta = 25C) Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package Trench gate and thin wafer t

 5.1. Size:97K  renesas
 rjh60d0dpk.pdf pdf_icon

RJH60D0DPQ-A0

Preliminary Datasheet RJH60D0DPK R07DS0155EJ0400600V - 22A - IGBT Rev.4.00Application: Inverter Apr 19, 2012Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 22 A, VGE = 15 V, Ta = 25C) Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package Trench gate and thin wafer techno

 5.2. Size:97K  renesas
 rjh60d0dpm.pdf pdf_icon

RJH60D0DPQ-A0

Preliminary Datasheet RJH60D0DPM R07DS0156EJ0300600V - 22A - IGBT Rev.3.00Application: Inverter Apr 19, 2012Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 22 A, VGE = 15 V, Ta = 25C) Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package Trench gate and thin wafer techno

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RJH1CV6DPQ-E0 , RJH1CV7DPQ-E0 , RJH30H1DPP-M0 , RJH30H2DPK-M0 , RJH6086BDPK , RJH6087BDPK , RJH6088BDPK , RJH60D0DPM , IHW20N135R5 , RJH60D5DPM , RJH60D5DPQ-A0 , RJH60D6DPM , RJH60D7ADPK , RJH60D7DPM , RJH60F0DPQ-A0 , RJH60F3DPK , RJH60F3DPQ-A0 .

History: IHY20N120R3 | SRE80N065FSU

 

 
Back to Top

 


 
.