RJH60D5DPQ-A0 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: RJH60D5DPQ-A0  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 35 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 120 pF

Тип корпуса: TO247A

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для RJH60D5DPQ-A0

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

RJH60D5DPQ-A0 даташит

 ..1. Size:82K  renesas
 rjh60d5dpq-a0.pdf pdf_icon

RJH60D5DPQ-A0

Preliminary Datasheet RJH60D5DPQ-A0 R07DS0527EJ0100 600 V - 37 A - IGBT Rev.1.00 Application Inverter Aug 26, 2011 Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 37 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package Trench gate and thin wafer t

 4.1. Size:85K  renesas
 r07ds0527ej rjh60d5dpq.pdf pdf_icon

RJH60D5DPQ-A0

Preliminary Datasheet RJH60D5DPQ-A0 R07DS0527EJ0100 600 V - 37 A - IGBT Rev.1.00 Application Inverter Aug 26, 2011 Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 37 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package Trench gate and thin wafer t

 5.1. Size:98K  renesas
 rjh60d5dpm.pdf pdf_icon

RJH60D5DPQ-A0

Preliminary Datasheet RJH60D5DPM R07DS0174EJ0200 600V - 37A - IGBT Rev.2.00 Application Inverter Apr 19, 2012 Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 37 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package Trench gate and thin wafer techno

 5.2. Size:82K  renesas
 r07ds0174ej rjh60d5dpm.pdf pdf_icon

RJH60D5DPQ-A0

Preliminary Datasheet RJH60D5DPM R07DS0174EJ0100 Silicon N Channel IGBT Rev.1.00 Application Inverter Nov 15, 2010 Features Short circuit withstand time (5 s typ.) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 37 A, VGE = 15 V, Ta = 25 C) Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package Trench gate and thin wafer t

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RJH30H1DPP-M0, RJH30H2DPK-M0, RJH6086BDPK, RJH6087BDPK, RJH6088BDPK, RJH60D0DPM, RJH60D0DPQ-A0, RJH60D5DPM, RJP63F3DPP-M0, RJH60D6DPM, RJH60D7ADPK, RJH60D7DPM, RJH60F0DPQ-A0, RJH60F3DPK, RJH60F3DPQ-A0, RJH60F4DPQ-A0, RJH60F5DPQ-A0