RJH60F4DPQ-A0
- IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: RJH60F4DPQ-A0
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ -
Максимальная рассеиваемая мощность: 235.8
W
|Vce|ⓘ -
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600
V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30
V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора:
60
A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое:
1.4
V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода:
150
℃
trⓘ -
Время нарастания типовое: 150
nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 93
pF
Тип корпуса: TO247A
Аналог (замена) для RJH60F4DPQ-A0
RJH60F4DPQ-A0
Datasheet (PDF)
..1. Size:87K renesas
rjh60f4dpq-a0.pdf 
Preliminary Datasheet RJH60F4DPQ-A0 R07DS0325EJ0200600 V - 30 A - IGBT Rev.2.00High Speed Power Switching Jul 22, 2011Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.4 V typ. (at IC = 30 A, VGE = 15V, Ta = 25C) Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin wafer technology High speed switching tf = 80 ns typ. (at
4.1. Size:82K renesas
r07ds0325ej rjh60f4dpq.pdf 
Preliminary Datasheet RJH60F4DPQ-A0 R07DS0325EJ0200600 V - 30 A - IGBT Rev.2.00High Speed Power Switching Jul 22, 2011Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.4 V typ. (at IC = 30 A, VGE = 15V, Ta = 25C) Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin wafer technology High speed switching tf = 80 ns typ. (at
5.1. Size:87K renesas
r07ds0235ej rjh60f4dpk.pdf 
Preliminary Datasheet RJH60F4DPK R07DS0235EJ0300(Previous: REJ03G1835-0200)Silicon N Channel IGBT Rev.3.00High Speed Power Switching Nov 17, 2010Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.4 V typ. (at IC = 30 A, VGE = 15 V, Ta = 25C) Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin wafer technology High speed sw
5.2. Size:84K renesas
rjh60f4dpk.pdf 
Preliminary Datasheet RJH60F4DPK R07DS0235EJ0300(Previous: REJ03G1835-0200)Silicon N Channel IGBT Rev.3.00High Speed Power Switching Nov 17, 2010Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.4 V typ. (at IC = 30 A, VGE = 15 V, Ta = 25C) Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin wafer technology High speed sw
Другие IGBT... RJH60D5DPM
, RJH60D5DPQ-A0
, RJH60D6DPM
, RJH60D7ADPK
, RJH60D7DPM
, RJH60F0DPQ-A0
, RJH60F3DPK
, RJH60F3DPQ-A0
, NGD8201N
, RJH60F5DPQ-A0
, RJH60F6DPQ-A0
, RJH60F7DPQ-A0
, RJH60M0DPQ-A0
, RJH60M1DPE
, RJH60M1DPP-M0
, RJH60M2DPE
, RJH60M2DPP-M0
.
