RJP30E2DPP-M0 datasheet, аналоги, основные параметры

RJP30E2DPP-M0 - это высоковольтный IGBT-транзистор, предназначенный для эффективного переключения питания в промышленных и бытовых целях. Он сочетает в себе высокое входное сопротивление МОП-транзистора с низкими потерями проводимости биполярного транзистора. Устройство поддерживает напряжение коллектор-эмиттер до 360В и постоянный ток коллектора около 35А, что делает его подходящим для инверторов, SMP-устройств, электроприводов, систем индукционного нагрева. Встроенный диод быстрого восстановления улучшает характеристики обратной проводимости и снижает потери при переключении. Оптимизированный заряд затвора и низкое напряжение насыщения обеспечивают высокую эффективность и надежность работы при высоких частотах переключения.

Наименование: RJP30E2DPP-M0  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 360 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 35 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 60 pF

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для RJP30E2DPP-M0

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

RJP30E2DPP-M0 даташит

 ..1. Size:149K  renesas
 rjp30e2dpp-m0.pdf pdf_icon

RJP30E2DPP-M0

Preliminary Datasheet RJP30E2DPP-M0 R07DS0347EJ0200 Silicon N Channel IGBT Rev.2.00 High Speed Power Switching Apr 12, 2011 Features Trench gate technology (G5H series) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.7 V typ High speed switching tf = 150 ns typ Low leak current ICES = 1 A max Isolated package TO-220FL Outline RENESAS Pack

 4.1. Size:152K  renesas
 rjp30e2dpp rjh30e2 equivalent no diode.pdf pdf_icon

RJP30E2DPP-M0

Preliminary Datasheet RJP30E2DPP-M0 R07DS0347EJ0200 Silicon N Channel IGBT Rev.2.00 High Speed Power Switching Apr 12, 2011 Features Trench gate technology (G5H series) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.7 V typ High speed switching tf = 150 ns typ Low leak current ICES = 1 A max Isolated package TO-220FL Outline RENESAS Pack

 4.2. Size:152K  renesas
 r07ds0347ej rjp30e2dpp.pdf pdf_icon

RJP30E2DPP-M0

Preliminary Datasheet RJP30E2DPP-M0 R07DS0347EJ0200 Silicon N Channel IGBT Rev.2.00 High Speed Power Switching Apr 12, 2011 Features Trench gate technology (G5H series) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.7 V typ High speed switching tf = 150 ns typ Low leak current ICES = 1 A max Isolated package TO-220FL Outline RENESAS Pack

 8.1. Size:190K  renesas
 r07ds0353ej rjp30e3dpp.pdf pdf_icon

RJP30E2DPP-M0

Preliminary Datasheet RJP30E3DPP-M0 R07DS0353EJ0200 Silicon N Channel IGBT Rev.2.00 High Speed Power Switching Apr 15, 2011 Features Trench gate technology (G5H series) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ High speed switching tf = 150 ns typ Low leak current ICES = 1 A max Isolated package TO-220FL Outline RENESAS Pack

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RJH60M2DPP-M0, RJH60M3DPE, RJH60M3DPP-M0, RJH60M3DPQ-A0, RJH60M5DPQ-A0, RJH60M6DPQ-A0, RJH60M7DPQ-A0, RJH60T4DPQ-A0, TGAN60N60F2DS, RJP30E3DPP-M0, RJP30H1DPD, RJP30H1DPP-M0, RJP30H2DPK-M0, RJP30K3DPP-M0, RJP6065DPM, RJP60D0DPE, RJP60D0DPP-M0