RJP30H1DPD datasheet, аналоги, основные параметры

RJP30H1DPD - это биполярный транзистор с изолированным затвором, предназначенный для коммутации средней мощности. Устройство поддерживает напряжение коллектор-эмиттер до 360В и постоянный ток коллектора около 30А, что делает его подходящим для инверторов, электроприводов, импульсных источников питания, сварочного оборудования. RJP30H1DPD отличается высокой производительностью переключения, низким уровнем заряда затвора и встроенным диодом, который упрощает проектирование схемы и повышает надежность при работе с индуктивными нагрузками. Корпус TO247 обеспечивает хорошие тепловые характеристики и удобный монтаж на радиаторе. Благодаря надежной безопасной рабочей зоне и низкому напряжению насыщения транзистор обеспечивает высокую эффективность и стабильную работу в сложных промышленных условиях.

Наименование: RJP30H1DPD  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 360 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 40 pF

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для RJP30H1DPD

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

RJP30H1DPD даташит

 ..1. Size:130K  renesas
 rjp30h1dpd.pdf pdf_icon

RJP30H1DPD

Preliminary Datasheet RJP30H1DPD R07DS0465EJ0200 Silicon N Channel IGBT Rev.2.00 High speed power switching Jun 15, 2011 Features Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) High speed switching tr = 80 ns typ., tf = 150 ns typ. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.5 V typ. Low leak current ICES = 1 A max. Outline RENES

 ..2. Size:151K  renesas
 r07ds0465ej rjp30h1dpd.pdf pdf_icon

RJP30H1DPD

Preliminary Datasheet RJP30H1DPD R07DS0465EJ0200 Silicon N Channel IGBT Rev.2.00 High speed power switching Jun 15, 2011 Features Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) High speed switching tr = 80 ns typ., tf = 150 ns typ. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.5 V typ. Low leak current ICES = 1 A max. Outline RENES

 5.1. Size:151K  renesas
 r07ds0466ej rjp30h1dpp.pdf pdf_icon

RJP30H1DPD

Preliminary Datasheet RJP30H1DPP-M0 R07DS0466EJ0200 Silicon N Channel IGBT Rev.2.00 High speed power switching Jun 15, 2011 Features Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) High speed switching tr =80 ns typ., tf = 150 ns typ. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)= 1.5 V typ. Low leak current ICES = 1 A max. Isolated p

 5.2. Size:130K  renesas
 rjp30h1dpp-m0.pdf pdf_icon

RJP30H1DPD

Preliminary Datasheet RJP30H1DPP-M0 R07DS0466EJ0200 Silicon N Channel IGBT Rev.2.00 High speed power switching Jun 15, 2011 Features Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) High speed switching tr =80 ns typ., tf = 150 ns typ. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)= 1.5 V typ. Low leak current ICES = 1 A max. Isolated p

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RJH60M3DPP-M0, RJH60M3DPQ-A0, RJH60M5DPQ-A0, RJH60M6DPQ-A0, RJH60M7DPQ-A0, RJH60T4DPQ-A0, RJP30E2DPP-M0, RJP30E3DPP-M0, SGP30N60, RJP30H1DPP-M0, RJP30H2DPK-M0, RJP30K3DPP-M0, RJP6065DPM, RJP60D0DPE, RJP60D0DPP-M0, RJP60F0DPE, RJP60F0DPM