Справочник IGBT. RJP30H2DPK-M0

 

RJP30H2DPK-M0 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: RJP30H2DPK-M0
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 360 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 35 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.4 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 60 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 37 nC
   Тип корпуса: TO3PSG
 

 Аналог (замена) для RJP30H2DPK-M0

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

RJP30H2DPK-M0 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:226K  renesas
 rjp30h2dpk-m0 rjp30h2a.pdf pdf_icon

RJP30H2DPK-M0

Preliminary Datasheet RJP30H2DPK-M0 / RJP30H2A R07DS0467EJ0200Silicon N Channel IGBT Rev.2.00High speed power switching Jun 15, 2011Features Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 1.4 V typ High speed switching: tf = 100 ns typ, tf = 180 ns typ Low leak current: ICES = 1 A maxOutline

 ..2. Size:129K  renesas
 rjp30h2dpk-m0.pdf pdf_icon

RJP30H2DPK-M0

Preliminary Datasheet RJP30H2DPK-M0 R07DS0467EJ0200Silicon N Channel IGBT Rev.2.00High speed power switching Jun 15, 2011Features Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 1.4 V typ High speed switching: tf = 100 ns typ, tf = 180 ns typ Low leak current: ICES = 1 A max Outline RENES

 4.1. Size:160K  renesas
 r07ds0467ej rjp30h2dpk.pdf pdf_icon

RJP30H2DPK-M0

Preliminary Datasheet RJP30H2DPK-M0 R07DS0467EJ0200Silicon N Channel IGBT Rev.2.00High speed power switching Jun 15, 2011Features Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 1.4 V typ High speed switching: tf = 100 ns typ, tf = 180 ns typ Low leak current: ICES = 1 A max Outline RENES

 8.1. Size:130K  renesas
 rjp30h1dpd.pdf pdf_icon

RJP30H2DPK-M0

Preliminary Datasheet RJP30H1DPD R07DS0465EJ0200Silicon N Channel IGBT Rev.2.00High speed power switching Jun 15, 2011Features Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) High speed switching: tr = 80 ns typ., tf = 150 ns typ. Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 1.5 V typ. Low leak current: ICES = 1 A max. Outline RENES

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RJH60M5DPQ-A0 , RJH60M6DPQ-A0 , RJH60M7DPQ-A0 , RJH60T4DPQ-A0 , RJP30E2DPP-M0 , RJP30E3DPP-M0 , RJP30H1DPD , RJP30H1DPP-M0 , MGD623S , RJP30K3DPP-M0 , RJP6065DPM , RJP60D0DPE , RJP60D0DPP-M0 , RJP60F0DPE , RJP60F0DPM , RJP60F4DPM , RJP60F5DPM .

History: FGW35N60HC

 

 
Back to Top

 


 
.