RJP30H2DPK-M0 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: RJP30H2DPK-M0  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 360 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 35 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.4 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 60 pF

Тип корпуса: TO3PSG

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для RJP30H2DPK-M0

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

RJP30H2DPK-M0 даташит

 ..1. Size:226K  renesas
 rjp30h2dpk-m0 rjp30h2a.pdf pdf_icon

RJP30H2DPK-M0

Preliminary Datasheet RJP30H2DPK-M0 / RJP30H2A R07DS0467EJ0200 Silicon N Channel IGBT Rev.2.00 High speed power switching Jun 15, 2011 Features Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.4 V typ High speed switching tf = 100 ns typ, tf = 180 ns typ Low leak current ICES = 1 A max Outline

 ..2. Size:129K  renesas
 rjp30h2dpk-m0.pdf pdf_icon

RJP30H2DPK-M0

Preliminary Datasheet RJP30H2DPK-M0 R07DS0467EJ0200 Silicon N Channel IGBT Rev.2.00 High speed power switching Jun 15, 2011 Features Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.4 V typ High speed switching tf = 100 ns typ, tf = 180 ns typ Low leak current ICES = 1 A max Outline RENES

 4.1. Size:160K  renesas
 r07ds0467ej rjp30h2dpk.pdf pdf_icon

RJP30H2DPK-M0

Preliminary Datasheet RJP30H2DPK-M0 R07DS0467EJ0200 Silicon N Channel IGBT Rev.2.00 High speed power switching Jun 15, 2011 Features Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.4 V typ High speed switching tf = 100 ns typ, tf = 180 ns typ Low leak current ICES = 1 A max Outline RENES

 8.1. Size:130K  renesas
 rjp30h1dpd.pdf pdf_icon

RJP30H2DPK-M0

Preliminary Datasheet RJP30H1DPD R07DS0465EJ0200 Silicon N Channel IGBT Rev.2.00 High speed power switching Jun 15, 2011 Features Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) High speed switching tr = 80 ns typ., tf = 150 ns typ. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.5 V typ. Low leak current ICES = 1 A max. Outline RENES

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RJH60M5DPQ-A0, RJH60M6DPQ-A0, RJH60M7DPQ-A0, RJH60T4DPQ-A0, RJP30E2DPP-M0, RJP30E3DPP-M0, RJP30H1DPD, RJP30H1DPP-M0, IHW40T60, RJP30K3DPP-M0, RJP6065DPM, RJP60D0DPE, RJP60D0DPP-M0, RJP60F0DPE, RJP60F0DPM, RJP60F4DPM, RJP60F5DPM