Справочник IGBT. FGW50N65WE

 

FGW50N65WE Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FGW50N65WE
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: 50G65WE
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 330 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 70 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 36 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 105 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 215 nC
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для FGW50N65WE

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FGW50N65WE Datasheet (PDF)

 7.1. Size:565K  fuji
 fgw50n60h.pdf pdf_icon

FGW50N65WE

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/FGW50N60H Discrete IGBTDiscrete IGBT (High-Speed V series)600V / 50AFeaturesLow power lossLow switching surge and noiseHigh reliability, high ruggedness (RBSOA, SCSOA etc.)ApplicationsUninterruptible power supplyPower coditionnerPower factor correction circuitMaximum Ratings and Characteristics Equivalent circuit Absol

 7.2. Size:625K  fuji
 fgw50n60vda.pdf pdf_icon

FGW50N65WE

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/FGW50N60VD Discrete IGBTDiscrete IGBT (High-Speed V series)600V / 50AFeaturesLow power lossLow switching surge and noiseHigh reliability, high ruggedness (RBSOA, SCSOA etc.)ApplicationsInverter for Motor driveAC and DC Servo drive amplifierUninterruptible power supplyMaximum Ratings and Characteristics Equivalent circuit

 7.3. Size:560K  fuji
 fgw50n60hd.pdf pdf_icon

FGW50N65WE

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/FGW50N60HD Discrete IGBTDiscrete IGBT (High-Speed V series)600V / 50AFeaturesLow power lossLow switching surge and noiseHigh reliability, high ruggedness (RBSOA, SCSOA etc.)ApplicationsUninterruptible power supplyPower coditionnerPower factor correction circuitMaximum Ratings and Characteristics Equivalent circuit Abso

 7.4. Size:569K  fuji
 fgw50n60hc.pdf pdf_icon

FGW50N65WE

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/FGW50N60HC Discrete IGBTDiscrete IGBT (High-Speed V series)600V / 50AFeaturesLow power lossLow switching surge and noiseHigh reliability, high ruggedness (RBSOA, SCSOA etc.)ApplicationsUninterruptible power supplyPower coditionnerPower factor correction circuitMaximum Ratings and Characteristics Equivalent circuit Abso

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TIG064E8 , TIG065E8 , TIG066SS , DGG4015 , FGM622S , FGM623S , MGD623N , MGD623S , RJP30E2DPP-M0 , SKW030N065 , GM200HB12CT , GM400HB06CT , KGH15N120NDA , KGH25N120NDA , KGT12N120NDH , KGT15N120KDA , KGT15N120NDA .

 

 
Back to Top

 


 
.