RJH30E2DPP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: RJH30E2DPP  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 360 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 35 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 60 pF

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для RJH30E2DPP

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

RJH30E2DPP даташит

 7.1. Size:152K  renesas
 rjp30e2dpp rjh30e2 equivalent no diode.pdf pdf_icon

RJH30E2DPP

Preliminary Datasheet RJP30E2DPP-M0 R07DS0347EJ0200 Silicon N Channel IGBT Rev.2.00 High Speed Power Switching Apr 12, 2011 Features Trench gate technology (G5H series) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.7 V typ High speed switching tf = 150 ns typ Low leak current ICES = 1 A max Isolated package TO-220FL Outline RENESAS Pack

 9.1. Size:20K  1
 rjh3044.pdf pdf_icon

RJH30E2DPP

RJH3044 absolute maximum ratings (1) Collector to emitter voltage VCES 360 V (2) Gate to emitter voltage VGES 30 V (3) Collector current IC 30 A (4) Collector peak current ic(peak) 200 A (5) Collector to emitter diode Forward peak current iDF(peak) 100 A (6) Collector dissipation PC 20 W (7) Junction to case thermal impedance qj-c 6.25 'CW (8) Junction temperature Tj

 9.2. Size:152K  renesas
 r07ds0464ej rjh30h2dpk.pdf pdf_icon

RJH30E2DPP

Preliminary Datasheet RJH30H2DPK-M0 R07DS0464EJ0200 Silicon N Channel IGBT Rev.2.00 High speed power switching Jun 15, 2011 Features Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.4 V typ High speed switching tr = 100 ns typ, tf = 180 ns typ Low leak current ICES = 1 A max Built-in Fa

 9.3. Size:152K  renesas
 r07ds0463ej rjh30h1dpp.pdf pdf_icon

RJH30E2DPP

Preliminary Datasheet RJH30H1DPP-M0 R07DS0463EJ0200 Silicon N Channel IGBT Rev.2.00 High speed power switching Jun 15, 2011 Features Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) High speed switching tr =80 ns typ., tf = 150 ns typ. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)= 1.5 V typ. Low leak current ICES = 1 A max. Built-in F

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... KGT25N120NDA, KGT25N120NDH, KGT25N135NDH, KGT30N120NDA, KGT30N120NDH, KGT30N60KDA, KGT40N60KDA, KGT50N60KDA, CRG40T60AK3HD, IRG4PC60UPBF, APT100GF60B2R, APT100GF60JR, APT100GF60JRD, APT100GF60JU2, APT100GF60JU3, APT100GT120JU2, APT100GT120JU3