APT15GP60K - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: APT15GP60K

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 56 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 12 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 210 pF

Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для APT15GP60K

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

APT15GP60K даташит

 ..1. Size:86K  apt
 apt15gp60k.pdf pdf_icon

APT15GP60K

 0.1. Size:206K  apt
 apt15gp60kg.pdf pdf_icon

APT15GP60K

 5.1. Size:211K  apt
 apt15gp60bsc.pdf pdf_icon

APT15GP60K

TYPICAL PERFORMANCE CURVES APT15GP60BSC APT15GP60BSC 600V POWER MOS 7 IGBT TO-247 The POWER MOS 7 IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. Using Punch Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency, high voltage switching applications and has been optimized for high frequency switchmode power supplies. G C E Low Conduction Loss 100 kHz oper

 5.2. Size:1026K  apt
 apt15gp60bdq1g.pdf pdf_icon

APT15GP60K

TYPICAL PERFORMANCE CURVES APT15GP60BDQ1 APT15GP60BDQ1 600V POWER MOS 7 IGBT TO-247 The POWER MOS 7 IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. Using Punch Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency, high voltage switching applications and has been optimized for high frequency switchmode power supplies. G C E Low Conduction Loss 100 kHz ope

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT13GP120B, APT13GP120BDF1, APT13GP120BSC, APT13GP120K, APT15GP60B, APT15GP60BDF1, APT15GP60BDQ1, APT15GP60BSC, IKW30N60H3, GT60N321, GT30F124, GT30F125, GT45F127, GT45F128, GT30F131, GT30G124, GT30G125