GT30J124 datasheet, аналоги, основные параметры

GT30J124 представляет собой N-канальный IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) в корпусе TO-220F (TO-220SIS). Его максимальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 600В, что делает его пригодным для применения в сетях среднего и высокого напряжения. Он поддерживает высокий пиковый ток коллектора — до 200А в импульсном режиме, в то время как номинальный постоянный ток коллектора составляет около 30А. Максимальная рассеиваемая мощность при 25°C составляет около 26Вт. Типичное напряжение насыщения при номинальном токе составляет 2.4В, что помогает снизить потери проводимости. Благодаря сочетанию высокого напряжения, высокой пропускной способности по току и приемлемым коммутационным характеристикам, GT30J124 часто используется в схемах преобразования мощности, приводах двигателей, инверторах и аналогичных приложениях силовой электроники.

Наименование: GT30J124

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200(pulse) A @25℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.4 V @25℃

Тип корпуса: TO220SIS

 Аналог (замена) для GT30J124

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

GT30J124 даташит

 7.1. Size:321K  toshiba
 gt30j122.pdf pdf_icon

GT30J124

GT30J122 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT30J122 4TH GENERATION IGBT Unit mm CURRENT RESONANCE INVERTER SWITCHING APPLICATIONS Enhancement mode type High speed tf = 0.25 s (Typ.) (IC = 50A) Low saturation voltage VCE (sat) = 2.1V (Typ.) (IC = 50A) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 C) Characteristic Symbol Rating Unit Coll

 7.2. Size:182K  toshiba
 gt30j121.pdf pdf_icon

GT30J124

GT30J121 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT30J121 High Power Switching Applications Unit mm Fast Switching Applications Fourth-generation IGBT Enhancement mode type Fast switching (FS) Operating frequency up to 50 kHz (reference) High speed tf = 0.05 s (typ.) Low switching loss Eon = 1.00 mJ (typ.) Eoff = 0.80 mJ (typ

 7.3. Size:192K  toshiba
 gt30j122a.pdf pdf_icon

GT30J124

GT30J122A Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT GT30J122A GT30J122A GT30J122A GT30J122A 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Dedicated to Current-Resonant Inverter Switching Applications Dedicated to Partial-Switching Power Factor Correction (PFC) Applications Note The product(s) described herein should not be used for any other application. 2. F

 7.4. Size:187K  toshiba
 gt30j126.pdf pdf_icon

GT30J124

GT30J126 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT30J126 High Power Switching Applications Unit mm Fast Switching Applications Fourth-generation IGBT Enhancement mode type Fast switching (FS) High speed tf = 0.05 s (typ.) Low switching loss Eon = 1.00 mJ (typ.) Eoff = 0.80 mJ (typ.) Low saturation voltage VCE (sat) =

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GT30F125, GT45F127, GT45F128, GT30F131, GT30G124, GT30G125, GT45G127, GT45G128, TGPF30N43P, GT5G133, GT5J301, GT8G151, GT10G131, GT10J303, GT10J321, GT15J301, GT15J321