Справочник IGBT. GT15J321

 

GT15J321 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: GT15J321

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.9

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Корпус: 2-10R1C

Аналог (замена) для GT15J321

 

 

GT15J321 Datasheet (PDF)

1.1. gt15j321 en wm 20061031.pdf Size:214K _toshiba

GT15J321
GT15J321

GT15J321 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT15J321 High Power Switching Applications Unit: mm Fast Switching Applications • Fourth-generation IGBT • Fast switching (FS • Enhancement mode type • High speed: tf = 0.03 ?s (typ.) • Low saturation Voltage: VCE (sat) = 1.90 V (typ.) • FRD included between emitter and collector Absolut

4.1. gt15j301 en wm 20061031.pdf Size:512K _toshiba

GT15J321
GT15J321

GT15J301 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT15J301 HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS Unit: mm MOTOR CONTROL APPLICATIONS Third-generation IGBT Enhancement mode type High speed : tf = 0.30?s (Max.) (IC = 15A) Low saturation voltage : VCE (sat) = 2.7V (Max.) (IC = 15A) FRD included between emitter and collector ABSOLUTE MAXIMUM RATIN

 

Другие IGBT... GT30J124 , GT5G133 , GT5J301 , GT8G151 , GT10G131 , GT10J303 , GT10J321 , GT15J301 , FGH40N60UFD , GT20J321 , GT30J121 , GT30J122 , GT30J126 , GT30J324 , GT35J321 , GT40J121 , GT40J321 .

Back to Top

 


GT15J321
  GT15J321
  GT15J321
 

social 

Список транзисторов

Обновления

IGBT: RJP30H2A | GT50JR22 | IRGC16B60KB | IRGC16B120KB | IRGC15B120UB | IRGC15B120KB | IRGC100B60UB | IRGC100B60KB | IRGC100B120UB | IRGC100B120KB |
 


 

 

Back to Top