Справочник IGBT. TSG15N120CN

 

TSG15N120CN Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: TSG15N120CN
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 184 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 106 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 150 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 110 nC
   Тип корпуса: TO3PN
 

 Аналог (замена) для TSG15N120CN

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

TSG15N120CN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:426K  taiwansemi
 tsg15n120cn.pdf pdf_icon

TSG15N120CN

TSG15N120CN N-Channel IGBT with FRD. TO-3PN Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Gate 2. Collector VCES (V) VGES (V) IC (A) 3. Emitter 1200 20 15 General Description The TSG15N120CN using proprietary trench design and advanced NPT technology, the 1200V NPT IGBT offers superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation.

 5.1. Size:444K  taiwansemi
 tsg15n120.pdf pdf_icon

TSG15N120CN

TSG15N120CN N-Channel IGBT with FRD. TO-3PN Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Gate 2. Collector VCES (V) VGES (V) IC (A) 3. Emitter 1200 20 15 General Description The TSG15N120CN using proprietary trench design and advanced NPT technology, the 1200V NPT IGBT offers superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation.

Другие IGBT... GT40J322 , GT40J325 , GT50J121 , GT50J325 , GT50J328 , GT50J341 , GT60J323 , GT60J323H , IRGP4062D , TSG25N120CN , TSG40N120CE , TSG60N100CE , APT15GP90B , APT15GP90BDF1 , APT15GP90K , APT15GT60BR , APT15GT60BRD .

 

 
Back to Top

 


 
.