TSG15N120CN - аналоги и описание IGBT

 

TSG15N120CN - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: TSG15N120CN

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 184 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 106 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 150 pF

Тип корпуса: TO3PN

 Аналог (замена) для TSG15N120CN

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

TSG15N120CN даташит

 ..1. Size:426K  taiwansemi
 tsg15n120cn.pdf pdf_icon

TSG15N120CN

TSG15N120CN N-Channel IGBT with FRD. TO-3PN Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Gate 2. Collector VCES (V) VGES (V) IC (A) 3. Emitter 1200 20 15 General Description The TSG15N120CN using proprietary trench design and advanced NPT technology, the 1200V NPT IGBT offers superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation.

 5.1. Size:444K  taiwansemi
 tsg15n120.pdf pdf_icon

TSG15N120CN

TSG15N120CN N-Channel IGBT with FRD. TO-3PN Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Gate 2. Collector VCES (V) VGES (V) IC (A) 3. Emitter 1200 20 15 General Description The TSG15N120CN using proprietary trench design and advanced NPT technology, the 1200V NPT IGBT offers superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation.

Другие IGBT... GT40J322 , GT40J325 , GT50J121 , GT50J325 , GT50J328 , GT50J341 , GT60J323 , GT60J323H , IRG7S313U , TSG25N120CN , TSG40N120CE , TSG60N100CE , APT15GP90B , APT15GP90BDF1 , APT15GP90K , APT15GT60BR , APT15GT60BRD .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.