APT80GP60B2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: APT80GP60B2  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1041 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 735 pF

Тип корпуса: TMAX

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для APT80GP60B2

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

APT80GP60B2 даташит

 ..1. Size:91K  apt
 apt80gp60b2.pdf pdf_icon

APT80GP60B2

 0.1. Size:92K  apt
 apt80gp60b2g.pdf pdf_icon

APT80GP60B2

 5.1. Size:248K  apt
 apt80gp60jdq3.pdf pdf_icon

APT80GP60B2

TYPICAL PERFORMANCE CURVES APT80GP60JDQ3 600V APT80GP60JDQ3 POWER MOS 7 IGBT The POWER MOS 7 IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. Using Punch Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency, high voltage switching applications and has been optimized for high frequency switchmode power supplies. "UL Recognized" ISOTOP file # E145592 Lo

 5.2. Size:197K  apt
 apt80gp60jdf3.pdf pdf_icon

APT80GP60B2

TYPICAL PERFORMANCE CURVES APT80GP60JDF3 APT80GP60JDF3 600V POWER MOS 7 IGBT The POWER MOS 7 IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. Using Punch Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency, high voltage switching applications and has been optimized for high frequency switchmode power supplies. "UL Recognized" Low Conduction Loss 100 kHz ope

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT65GP60J, APT65GP60JDF2, APT65GP60L2DF2, APT75GP120B2, APT75GP120J, APT75GP120JDF3, APT75GT120JU2, APT75GT120JU3, IRGB20B60PD1, APT80GP60J, APT80GP60JDF3, APT83GU30B, APT8GT60KR, APTGF100A120T, APTGF100DA120T, APTGF100DU120T, APTGF100SK120T