FGW75N60H datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: FGW75N60H  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 130 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 300 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для FGW75N60H

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FGW75N60H даташит

 ..1. Size:498K  fuji
 fgw75n60h.pdf pdf_icon

FGW75N60H

http //www.fujielectric.com/products/semiconductor/ FGW75N60H Discrete IGBT Discrete IGBT (High-Speed V series) 600V / 75A Features Low power loss Low switching surge and noise High reliability, high ruggedness (RBSOA, SCSOA etc.) Applications Uninterruptible power supply Power coditionner Power factor correction circuit Maximum Ratings and Characteristics Equivalent circuit Absol

 0.1. Size:560K  fuji
 fgw75n60hd.pdf pdf_icon

FGW75N60H

http //www.fujielectric.com/products/semiconductor/ FGW75N60HD Discrete IGBT Discrete IGBT (High-Speed V series) 600V / 75A Features Low power loss Low switching surge and noise High reliability, high ruggedness (RBSOA, SCSOA etc.) Applications Uninterruptible power supply Power coditionner Power factor correction circuit Maximum Ratings and Characteristics Equivalent circuit Abso

Другие IGBT... FGW30N60VD, FGW35N60H, FGW35N60HC, FGW35N60HD, FGW50N60H, FGW50N60HC, FGW50N60HD, FGW50N60VD, FGL60N100BNTD, FGW75N60HD, FGW85N60RB, 1MBH60-100, FGL40N120AN, BRG15N120D, BRG20N120D, BRG25N120D, SSIG15N135H