FGW75N60HD - аналоги и описание IGBT

 

Аналоги FGW75N60HD. Основные параметры


   Наименование: FGW75N60HD
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 130 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 300 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для FGW75N60HD

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FGW75N60HD даташит

 ..1. Size:560K  fuji
 fgw75n60hd.pdf pdf_icon

FGW75N60HD

http //www.fujielectric.com/products/semiconductor/ FGW75N60HD Discrete IGBT Discrete IGBT (High-Speed V series) 600V / 75A Features Low power loss Low switching surge and noise High reliability, high ruggedness (RBSOA, SCSOA etc.) Applications Uninterruptible power supply Power coditionner Power factor correction circuit Maximum Ratings and Characteristics Equivalent circuit Abso

 5.1. Size:498K  fuji
 fgw75n60h.pdf pdf_icon

FGW75N60HD

http //www.fujielectric.com/products/semiconductor/ FGW75N60H Discrete IGBT Discrete IGBT (High-Speed V series) 600V / 75A Features Low power loss Low switching surge and noise High reliability, high ruggedness (RBSOA, SCSOA etc.) Applications Uninterruptible power supply Power coditionner Power factor correction circuit Maximum Ratings and Characteristics Equivalent circuit Absol

Другие IGBT... FGW35N60H , FGW35N60HC , FGW35N60HD , FGW50N60H , FGW50N60HC , FGW50N60HD , FGW50N60VD , FGW75N60H , IRGP4062D , FGW85N60RB , 1MBH60-100 , FGL40N120AN , BRG15N120D , BRG20N120D , BRG25N120D , SSIG15N135H , SSIG20N135H .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.