Справочник IGBT. AOK20B60D1

 

AOK20B60D1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: AOK20B60D1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.7(typ) V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 37 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 93 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 24.6 nC
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

AOK20B60D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:720K  aosemi
aok20b60d1.pdfpdf_icon

AOK20B60D1

AOK20B60D1TM600V, 20A Alpha IGBT with DiodeGeneral Description Product Summary VCE600VThe Alpha IGBTTM line of products offers best-in-class IC (TC=100C) 20Aperformance in conduction and switching losses, withrobust short circuit capability. They are designed for ease VCE(sat) (TC=25C) 1.85Vof paralleling, minimal gate spike under high dV/dtconditions and resistance

 7.1. Size:1277K  aosemi
aok20b65m1.pdfpdf_icon

AOK20B60D1

AOK20B65M1/AOT20B65M1/AOB20B65M1TM650V, 20A Alpha IGBTWith soft and fast recovery anti-parallel diodeGeneral Description Product SummaryVCE Latest Alpha IGBT ( IGBT) technology 650V 650V breakdown voltageIC (TC=100C) 20A Very fast and soft recovery freewheeling diodeVCE(sat) (TJ=25C) 1.7V High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(sat) enab

 7.2. Size:1095K  aosemi
aok20b65m2.pdfpdf_icon

AOK20B60D1

AOK20B65M2TM650V, 20A Alpha IGBTWith soft and fast recovery anti-parallel diodeGeneral Description Product SummaryVCE Latest AlphaIGBT ( IGBT) technology 650V 650V breakdown voltageIC (TC=100C) 20A Very fast and soft recovery freewheeling diodeVCE(sat) (TJ=25C) 1.7V High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(SAT) enables high efficiencies

 8.1. Size:713K  aosemi
aok20b135d1.pdfpdf_icon

AOK20B60D1

AOK20B135D1TM 1350V, 20A Alpha IGBT with DiodeGeneral Description Product Summary Latest AlphaIGBT ( IGBT) technology VCE1350V Best in Class VCE(SAT) enables high efficiencies IC (TC=100C) 20A Low turn-off switching loss due to fast turn-off time Very smooth turn-off current waveforms reduce EMI VCE(sat) (TC=25C) 1.57V Better thermal management

Другие IGBT... CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IXYA8N90C3D1 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , CRG15T120BNR3S , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , MMIX4B20N300 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D .

History: APT20GN60BG

 

 
Back to Top

 


 
.