IRG4MC50U datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IRG4MC50U  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 35 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.25(max) V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 75(max) nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 250 pF

Тип корпуса: TO254AA

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IRG4MC50U

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRG4MC50U даташит

 ..1. Size:142K  international rectifier
 irg4mc50u.pdf pdf_icon

IRG4MC50U

PD -94273A IRG4MC50U UltraFast Speed IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features C Electrically Isolated and Hermetically Sealed VCES = 600V Simple Drive Requirements Latch-proof Fast Speed operation 3 kHz - 8 kHz VCE(on) max = 2.25V G High operating frequency Switching-loss rating includes all "tail" losses @VGE = 15V, IC = 27A E Ceramic eyelets

 6.1. Size:140K  international rectifier
 irg4mc50f.pdf pdf_icon

IRG4MC50U

PD -94274A IRG4MC50F Fast Speed IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features C Electrically Isolated and Hermetically Sealed VCES = 600V Simple Drive Requirements Latch-proof Fast Speed operation 3 kHz - 8 kHz VCE(on) max = 2.0V G High operating frequency Switching-loss rating includes all "tail" losses @VGE = 15V, IC = 30A E Ceramic eyelets n-cha

 8.1. Size:195K  international rectifier
 irg4mc30f.pdf pdf_icon

IRG4MC50U

PD-94313D IRG4MC30F Fast Speed IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features C Electrically Isolated and Hermetically Sealed VCES = 600V Simple Drive Requirements Latch-proof Fast Speed Operation 3 kHz - 8 kHz VCE(on) max =1.7V G High Operating Frequency Switching-loss Rating includes all "tail" losses E @VGE = 15V, IC = 15A Ceramic Eyelets n-channe

 8.2. Size:204K  international rectifier
 irg4mc40u.pdf pdf_icon

IRG4MC50U

PD-94305F IRG4MC40U UltraFast Speed IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features C Electrically Isolated and Hermetically Sealed VCES = 600V Simple Drive Requirements Latch-proof VCE(on)max = 2.1V UltraFast Speed Operation 8KHz - 40KHz, G > 200KHz in Resonent Mode High Operating Frequency @VGE =15V, IC = 20A E Switching-loss Rating includes all "tail

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXYP8N90C3D1, APT20GN60BG, APT20GN60KG, APT20GN60SG, AOK20B60D1, F3L30R06W1E3_B11, WGW15G120N, WGW15G120W, SGH80N60UFD, MMIX4B20N300, AOB10B60D, AOK10B60D, AOT10B60D, NGB8207AB, NGB8207B, AOB15B60D, IRGSL8B60K