AOB15B60D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: AOB15B60D  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 19 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 97 pF

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для AOB15B60D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AOB15B60D даташит

 ..1. Size:675K  aosemi
 aob15b60d.pdf pdf_icon

AOB15B60D

AOB15B60D TM 600V, 15A Alpha IGBT with Diode General Description Product Summary VCE 600V The Alpha IGBTTM line of products offers best-in-class IC (TC=100 C) 15A performance in conduction and switching losses, with robust short circuit capability. They are designed for ease VCE(sat) (TC=25 C) 1.6V of paralleling, minimal gate spike under high dV/dt conditions and resistance to

 7.1. Size:556K  aosemi
 aot15b65m1 aob15b65m1.pdf pdf_icon

AOB15B60D

AOT15B65M1/AOB15B65M1 TM 650V, 15A Alpha IGBT With soft and fast recovery anti-parallel diode General Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT ( IGBT) technology 650V 650V breakdown voltage IC (TC=100 C) 15A Very fast and soft recovery freewheeling diode VCE(sat) (TJ=25 C) 1.7V High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(SAT) enables high eff

 7.2. Size:654K  aosemi
 aob15b65mq1.pdf pdf_icon

AOB15B60D

AOT15B65MQ1/AOB15B65MQ1 TM 650V, 15A AlphaIGBT With Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode General Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT ( IGBT) technology 650V 650V breakdown voltage IC (TC=100 15A C) Very fast and soft recovery freewheeling diode VCE(sat) (TJ=25 1.7V C) High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(sat) enables hig

 7.3. Size:1166K  aosemi
 aob15b65m1.pdf pdf_icon

AOB15B60D

AOT15B65M1/AOB15B65M1 TM 650V, 15A Alpha IGBT With soft and fast recovery anti-parallel diode General Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT ( IGBT) technology 650V 650V breakdown voltage IC (TC=100 C) 15A Very fast and soft recovery freewheeling diode VCE(sat) (TJ=25 C) 1.7V High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(SAT) enables high eff

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... WGW15G120W, IRG4MC50U, MMIX4B20N300, AOB10B60D, AOK10B60D, AOT10B60D, NGB8207AB, NGB8207B, YGW50N65F1A, IRGSL8B60K, AOK15B60D, APT20GT60BRDQ1G, APT20GT60BRG, APT20GT60KRG, RJH1CF5RDPQ-80, APT15GN120BDQ1G, APT15GN120SDQ1G