AP30G120ASW datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: AP30G120ASW  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 45 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 120 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для AP30G120ASW

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AP30G120ASW даташит

 ..1. Size:98K  ape
 ap30g120asw.pdf pdf_icon

AP30G120ASW

AP30G120ASW RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL INSULATED GATE Electronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR WITH FRD. Features High Speed Switching VCES 1200V Low Saturation Voltage IC 30A VCE(sat)=2.9V@IC=30A C CO-PAK, IGBT With FRD G C TO-3P G RoHS Compliant E E Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Units VCES Collector-Emitter Voltage 1200 V

 6.1. Size:97K  ape
 ap30g120sw.pdf pdf_icon

AP30G120ASW

AP30G120SW Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL INSULATED GATE Electronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR WITH FRD. Features High speed switching VCES 1200V Low Saturation Voltage IC 30A VCE(sat)=3.0V@IC=30A C CO-PAK, IGBT with FRD G TO-3P G RoHS Compliant C E E Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Units VCES Collector-Emitter Voltage 1200 V

 6.2. Size:99K  ape
 ap30g120bsw-hf.pdf pdf_icon

AP30G120ASW

AP30G120BSW-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL INSULATED GATE Electronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR WITH FRD. Features High Speed Switching VCES 1200V Low Saturation Voltage IC 30A VCE(sat)=2.9V@IC=30A C CO-PAK, IGBT With FRD G C TO-3P G RoHS Compliant & Halogen-Free E E Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Units VCES Collector-Emitter

 6.3. Size:95K  ape
 ap30g120w.pdf pdf_icon

AP30G120ASW

AP30G120W Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL INSULATED GATE Electronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR Features VCES 1100V High speed switching IC 30A Low Saturation Voltage VCE(sat)=3.0V@IC=30A C G Industry Standard TO-3P Package G RoHS Compliant TO-3P C E E Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Units VCES Collector-Emitter Voltage 1100 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT20GF120SRDQ1G, APT20GF120BRG, APT20GF120KRG, APT30GN60BG, APT30GN60KG, AP30G120W, AP30G100W, AOK30B60D1, NGTB75N65FL2, AP30G120BSW-HF, AP30G120CSW-HF, AP30G120SW, APT28GA60BD15, APT27GA90BD15, APT27GA90K, APT27GA90SD15, APT28GA60K