Справочник IGBT. TGHP75N120F2D

 

TGHP75N120F2D - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: TGHP75N120F2D
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 790 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для TGHP75N120F2D

 

 

TGHP75N120F2D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1018K  trinnotech
tghp75n120f2d.pdf

TGHP75N120F2D
TGHP75N120F2D

TGHP75N120F2DField Stop Trench IGBTFeaturesTO-247 PLUS 1200V Field Stop Trench IGBT Technology High Speed Switching Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation 175 Operating Temperature RoHS Compliant JEDEC QualificationApplications Solar Inverter, UPSDevice Package Marking RemarkTGHP75N120F2D TO-247 PL

 3.1. Size:970K  trinnotech
tghp75n120fdr.pdf

TGHP75N120F2D
TGHP75N120F2D

TGHP75N120FDRField Stop Trench IGBTFeaturesTO-247 PLUS 1200V Field Stop Trench IGBT Technology Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation Short Circuit Withstanding Time 5s RoHS Compliant JEDEC QualificationApplicationsInverter, Solar, UPS, WelderDevice Package Marking RemarkTGHP75N120FDR TO-247 PLUS TGHP75N120

Другие IGBT... TGH80N65F2DR , TGH80N65F2DS , TGHP75N120F2D , TGHP75N120FDR , TGL75N120FDR , TGPF15N60FDR , TGPF20N60FDR , TGH80N65F2D2 , RJP30H2A , 1MB05-120 , 1MB05D-120 , 1MB08-120 , 1MB08D-120 , 1MB10-120 , 1MB10D-120 , 1MB15D-060 , 1MB20-060 .

 

 
Back to Top